公开(公告)号：CN111697053A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1-x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN108735811A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810177242.6

申请日：2018-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志 ,  米原健矢

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/2258 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/778 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、电源电路以及计算机。提供阈值电压的变动得到抑制的可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：氮化物半导体层、栅电极、位于氮化物半导体层上的第1电极、位于氮化物半导体层上且在与第1电极之间有栅电极的第2电极以及位于氮化物半导体层与栅电极之间且具有包含Al和B中的至少任一个元素、Ga及Si的第1氧化物区域的栅极绝缘层，在将第1氧化物区域的氮化物半导体层侧的端部设为第1端部、第1氧化物区域的栅电极侧的端部设为第2端部、第1端部与第2端部间的距离设为d1、从第1端部向第2端部的方向分开d1/10的位置设为第1位置时，第1位置中的镓的原子浓度是至少任一个元素的原子浓度的80％以上120％以下。

公开(公告)号：CN108321198A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201710766840.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄 ,  斋藤尚史 ,  大野浩志

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法，提供能够抑制电流崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，包含Ga；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大，包含Ga；第一电极及第二电极，设置于第一氮化物半导体层上且与第一氮化物半导体层电连接；栅电极，设置于第一电极与第二电极之间；导电层，设置于第二氮化物半导体层上，与第二电极之间的第一距离小于第二电极与栅电极之间的第二距离，与第一电极或者栅电极电连接；第一氧化铝层，设置于栅电极与第二电极之间，设置于第二氮化物半导体层与导电层之间；氧化硅层；以及第二氧化铝层。