公开(公告)号：CN1197125C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01125952.3

申请日：2001-07-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坚田富夫 ,  和田纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  B25B11/00 ,  H02N13/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6831

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在放置在半导体制造装置的静电吸盘热板(10)上吸持晶片(3)时，从晶片的中央部向外周依次施加吸盘力。从中央部(4)向外周方向将静电吸盘电极(2)至少分割成2部分，并从中央的内周部(4)向外周部(5)依次施加吸盘电力。首先从晶片施加吸盘力并升温，这时晶片外周部由于吸盘力弱而顺利产生热膨胀，应力保持在低状态，能防止晶片破损。事前感知晶片的背面状态，所以能选择预先决定的升压、除电参数。

公开(公告)号：CN1155075C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN99107621.4

申请日：1999-04-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  国际商业机器公司 ,  西门子公司

Inventor： 达里尔·里斯秦诺 ,  杨智华 ,  汉斯·W·波耶茨伯格 ,  坚田富夫 ,  青地英明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC classification number: C23C14/165 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76877

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，尤其是一种薄膜溅射工艺，其中：首先在低温和低溅射功率下，在通孔的侧壁上淀积第一Al-Cu膜，然后在高温和高溅射功率下，在该第一Al-Cu膜上淀积第二Al-Cu膜，形成填充该通孔的金属互连层。溅射是在同一溅射室内的低温和高温的两个步骤内完成的。在低温和低溅射功率下的淀积在该通孔内形成良好覆盖，在高温和高溅射功率下的淀积减少了工艺时间。

公开(公告)号：CN1335640A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN01125952.3

申请日：2001-07-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 坚田富夫 ,  和田纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68 ,  B25B11/00

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6831

Abstract: 一种半导体装置的制造方法,在放置在半导体制造装置的静电吸盘热板10上吸持晶片3时,从晶片的中央部向外周依次施加吸盘力。从中央部4向外周方向将静电吸盘电极2至少分割成2部分,并从中央的内周部4向外周部5依次施加吸盘电力。首先从晶片施加吸盘力并升温,这时晶片外周部由于吸盘力弱而顺利产生热膨胀,应力保持在低状态,能防止晶片破损。事前感知晶片的背面状态,所以能选择预先决定的升压、除电参数。

公开(公告)号：CN1267912A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104393.5

申请日：2000-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 及川靖 ,  和田纯一 ,  坚田富夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 不会增加电阻和降低抗EM能力及引起Al凝结的在高宽比高的连接孔内形成Al镶嵌布线的技术。通过形成覆盖连接孔及布线沟(凹部)的内表面的Nb衬膜6,利用溅射在Nb衬膜6上形成不填充凹部内部的第一Al膜7,使其表面吸附氧气8,边加热Si衬底1边在包含凹部的区域上形成第二Al膜而以第一及第二Al膜7填充凹部内部,最后利用CMP去除凹部外部剩余的第一及第二Al膜7。