公开(公告)号：CN1362740A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01143944.0

申请日：2001-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下冈义明 ,  松永范昭

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件,包括:铜基布线层,其含有铜基金属作为主要组分,且形成在半导体衬底的表面上;以及绝缘层,其形成为包围上述铜基布线层,其中上述Cu基金属含有10－3－1原子%的硫。