公开(公告)号：CN103325830A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210320354.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三须伸一郎 ,  大田刚志 ,  西胁达也 ,  内原士 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7801 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具有漏极区、源极区、基极区、漂移区、栅极区、栅极绝缘膜、电场缓和部、漏电极和源电极。漏极区具有第一部分和第二部分，该第二部分具有在第一方向上延伸的面。源极区在第二方向上延伸并与漏极层分离设置。基极区设在漏极区与源极区之间。漂移区与源极区相接地设在漏极区与基极区之间。栅电极在第一方向以及第三方向上延伸，在第三方向上贯通基极区。栅极绝缘膜设在源极区、基极区和漂移区这三个区与栅电极之间。电场缓和部设在栅极绝缘膜与漏极区之间。漏电极连接于漏极区。源电极连接于源极区。