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发明授权
III族氮化物晶体的制造装置及制造方法有权

公开(公告)号：CN105463576B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201510617542.8

申请日：2015-09-24

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 冈山芳央 , 桑原凉 , 山下富生 , 森勇介 , 今出完

IPC: C30B29/38 , C30B1/10

Abstract: 本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。

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