公开(公告)号：CN113383253A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201980091029.6

申请日：2019-10-17

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 长崎纯久 ,  大林孝志 ,  谷直幸 ,  铃木信靖 ,  滨田贵裕 ,  杉尾幸彦

IPC: G02B5/20 ,  F21V9/30 ,  F21V29/502 ,  F21V29/76 ,  G03B21/14 ,  F21Y115/30

Abstract: 本申请提供用于抑制波长转换部件温度上升的技术。本申请具备包含荧光体的荧光体层(20)、支撑荧光体层(20)的基板(30)以及与基板(30)接合的散热器(40)，其中，基板(30)的导热率比荧光体层(20)的导热率大，散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率大或者散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率小。

公开(公告)号：CN111033328A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880052500.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 长崎纯久 ,  大林孝志 ,  滨田贵裕 ,  杉尾幸彦

IPC: G02B5/20 ,  C09K11/06 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/70 ,  F21V9/08 ,  H01L33/50 ,  F21W103/10 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30

Abstract: 本发明提供具有优异的散热性的波长转换构件。本申请的波长转换构件具备：波长转换粒子，其具有荧光体和将荧光体包围的第1基体；和第2基体，其具有比第1基体的热导率高的热导率，且将波长转换粒子包围。荧光体例如为选自由量子点制成的荧光体、由金属络合物制成的荧光体及有机荧光体中的至少一种。第1基体例如包含选自树脂及玻璃中的至少一种。第2基体例如包含无机晶体。无机晶体例如为氧化锌晶体。

公开(公告)号：CN113195971B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201980082187.5

申请日：2019-10-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 滨田贵裕 ,  杉尾幸彦 ,  铃木信靖 ,  长崎纯久

IPC: F21V9/30 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30

公开(公告)号：CN113195971A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082187.5

申请日：2019-10-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 滨田贵裕 ,  杉尾幸彦 ,  铃木信靖 ,  长崎纯久

IPC: F21V9/30 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30

Abstract: 一种波长转换构件，其具备：基板；被基板支撑并且包含无机材料的基体；埋入基体中的荧光体；和埋入基体中的填料粒子。填料粒子的线膨胀系数为25ppm/K～790ppm/K，并且大于基体的线膨胀系数。该波长转换构件可抑制基板的翘曲。

公开(公告)号：CN110799863A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880042910.2

申请日：2018-06-14

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 杉尾幸彦 ,  滨田贵裕 ,  铃木信靖 ,  长崎纯久

IPC: G02B5/20 ,  H01L33/50

Abstract: 本申请提供具有高可靠性的波长转换构件。本申请的波长转换构件(100)具备：荧光体层(20)，其具有包含ZnO的基体(21)和埋入基体(21)中的荧光体粒子(22)；和第1保护层(30)，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，且将荧光体层(20)覆盖。例如，第1保护层(30)与荧光体层(20)相接触。例如，ZnO为沿c轴取向的ZnO多晶。

公开(公告)号：CN107305921A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710134584.5

申请日：2017-03-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 长崎纯久 ,  滨田贵裕 ,  美马一真 ,  杉尾幸彦

IPC: H01L33/50

CPC classification number: F21S41/14 ,  B60Q1/04 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/62 ,  C09K11/7728 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  F21S41/16 ,  F21S41/25 ,  F21S45/47 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/32 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/005

Abstract: 本申请所要解决的问题为抑制发光效率降低。本申请的一个方案为波长转换部件，其具备基板、第一波长转换层和第二波长转换层。所述第一波长转换层配置在所述基板上，并包含第一荧光体材料和第一基体材料。所述第二波长转换层具有与所述第一波长转换层相对的第一主面和来自半导体发光器件的激发光射入的第二主面，并且包含第二荧光体材料、第一颗粒状无机材料和第二基体材料。所述第一荧光体材料和所述第二荧光体材料将由所述第二主面射入的所述激发光转换为具有比所述激发光长的波长的荧光，所述荧光从所述第二波长转换层的所述第二主面放射。所述第一波长转换层中的第一荧光体材料的体积比率比所述第二波长转换层中的第二荧光体材料的体积比率高。