公开(公告)号：CN102473904A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032295.0

申请日：2010-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木弘雅 ,  本田和义

IPC: H01M4/139 ,  H01G9/058 ,  H01G9/155 ,  H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/139 ,  C23C14/14 ,  C23C14/545 ,  C23C14/562 ,  H01G11/22 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0423 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明提供一种沉积量测定装置、沉积量测定方法及电化学元件用电极的制造方法。本发明的制造方法包括向附加了与锂形成化合物的层的基板沉积锂的工序。在沉积工序之前，对基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。在沉积工序之后，向基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。计算沉积工序前后的第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量。根据第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量，进行沉积工序的控制。

公开(公告)号：CN102245800A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149376.6

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  篠川泰治 ,  八木弘雅 ,  涩谷聪 ,  冈崎祯之 ,  小川裕子 ,  末次大辅

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。

公开(公告)号：CN101668701A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880014009.0

申请日：2008-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  筱川泰治 ,  八木弘雅 ,  柳智文 ,  别所邦彦

IPC: C01B33/037 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。

公开(公告)号：CN1415121A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN00814649.7

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下龙司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/10 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，把集电器成分扩散到薄膜中。

公开(公告)号：CN1382310A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN00814645.4

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下龙司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/10 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于锂电池的电极,具有吸收/放出锂的活性材料薄膜,诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜,其特征在于,集电器的表面粗糙度Ra是0.01μm或更大。

公开(公告)号：CN1257568C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN00817739.2

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏 ,  樟本靖宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/13 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于可再用锂电池的电极，具有诸如微晶或无定形硅薄膜之类的活性材料薄膜，所述薄膜在集电器上吸收/释放锂时膨胀和收缩，其特征在于，集电器的强度(＝集电器材料的每横截面的拉伸强度(N/mm2)×集电器的厚度(mm))是3.82N/mm或更大，所述活性材料薄膜由能够与锂形成混合物的活性材料构成，所述集电器由不能够与锂形成混合物的材料构成。

公开(公告)号：CN1222064C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN00814646.2

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/661 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/10 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 用于锂电池的一种电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，诸如在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，通过在厚度方向切割成柱而分割薄膜，并且每个柱的底部与集电器紧密接触。

公开(公告)号：CN100347904C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200480001535.5

申请日：2004-06-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 地藤大造 ,  田村宜之 ,  鉾谷伸宏 ,  南博之 ,  八木弘雅 ,  神野丸男 ,  佐山胜信 ,  加藤善雄 ,  松田茂树

IPC: H01M10/40 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/64 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/525 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0568 ,  H01M10/0569

Abstract: 本发明提供一种可再充电锂电池，该可再充电锂电池包括通过使完全或主要由硅构成的非晶体薄膜在集电器上沉积而制得的负电极、正电极和非水电解质，其特征在于所述非水电解质含有溶解于其中的二氧化碳。

公开(公告)号：CN1257567C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN00817738.4

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2004/021 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于锂电池的电极，具有吸收/放出锂的活性材料薄膜，例如通过隔层在集电器上提供的微晶硅薄膜或无定形硅薄膜，其特征在于，可以使隔层的材料与活性材料薄膜合金。

公开(公告)号：CN1413366A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817742.2

申请日：2000-10-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 池田博昭 ,  藤本正久 ,  藤谷伸 ,  岛正树 ,  八木弘雅 ,  樽井久树 ,  黑河宏史 ,  浅冈贤司 ,  松田茂树 ,  堂本洋一 ,  大下竜司 ,  加藤善雄 ,  中岛宏 ,  吉田智一

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/661 ,  H01M2/0207 ,  H01M4/04 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/40 ,  H01M4/405 ,  H01M4/485 ,  H01M4/525 ,  H01M4/58 ,  H01M4/667 ,  H01M4/70 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0587 ,  H01M10/44 ,  H01M2010/4292

Abstract: 一种用于可再充电锂电池的电极，其特征在于，把能够存储或释放锂的微晶或无定形硅薄膜等的活性材料薄膜，沉积在平板形集电器的相对着的表面上。