公开(公告)号：CN1126126C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN95106049.X

申请日：1995-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  井上修 ,  钉宫公一 ,  饭岛贤二

IPC: H01F10/08 ,  H01F41/14 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B5/147 ,  G11B5/1877 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/3156 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜，主磁性层2由磁性结晶粒子构成，该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构，具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围，其中dl是磁性结晶粒子的平均高度，ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。

公开(公告)号：CN1408677A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143445.X

申请日：2002-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥山浩二郎 ,  加藤纯一 ,  加贺田博司 ,  饭岛贤二

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187 ,  H01P7/10

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/96 ,  H01P7/10

Abstract: 一种介电陶瓷(1)，由选自Zr、Ti和Mn的至少一种元素、选自Mg、Zn和Co的至少一种元素以及选自Nb和Ta的至少一种元素的复合氧化物的烧结物构成，且平均晶体粒径在10～70μm的范围。从而提供一种在微波波段较低频率区域，即0.4～2.4GHz中，无负荷(Qu)值与介电常数(εr)也高、可以实现预期的共振频率温度系数(τf)且机械强度高的介电陶瓷和介电器件。

公开(公告)号：CN1367544A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02105298.0

申请日：2002-01-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  小田川明弘 ,  松川望 ,  饭岛贤二 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  H01L41/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49034 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

Abstract: 本发明提供磁阻效应元件,该元件含有中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述中间层含有从2～17族中选出的至少3种元素,上述元素含有从F、O、N、C和B中选出的至少1种元素。根据本发明,可提供具有高磁阻变化率和低电阻的磁阻效应元件。本发明还提供磁阻效应元件的制造方法,该方法包括使前体成膜的工序、和在含有从氧原子、氮原子和碳原子中选出的至少一种反应种子的反应气氛中,使上述前体和上述反应种子进行反应从而形成上述中间层的至少一部分的工序。

公开(公告)号：CN1346156A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01137236.2

申请日：2001-09-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 足立秀明 ,  平本雅祥 ,  饭岛贤二 ,  榊间博

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  G11B5/39

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/324

Abstract: 本发明提供一种通过在基底与光晶石型磁性体之间夹一层氮化钛使磁阻效应显著提高的磁阻元件,本发明的磁阻元件具有基底和在上述基底上形成的多层膜,上述多层膜从上述基底侧开始包含第一磁层,形成在上述第一磁层上的非磁性层和形成在上述非磁性层上的第二磁性层,使根据上述第一磁性层的磁化方向与上述第二磁性层的磁化方向的相对角度的变化的、用于检测电阻变化的电流沿垂直于上述多层膜的膜面的方向流动;上述第一磁性层具有光晶石型结晶结构,上述多层膜还包括夹于上述基底与上述第一磁性层之间的氮化钛层。

公开(公告)号：CN1121633A

公开(公告)日：1996-05-01

申请号：CN95106049.X

申请日：1995-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平本雅祥 ,  井上修 ,  钉宫公一 ,  饭岛贤二

IPC: H01F10/08 ,  H01F41/14 ,  G11B5/31

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11B5/147 ,  G11B5/1877 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/3156 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明通过使主磁性层2和中间层3交替层叠形成磁性体薄膜1来提供具有良好的软磁特性的磁性体薄膜，主磁性层2由磁性结晶粒子构成，该磁性结晶粒子实质上具有柱状结构，具有0.3≤ds/dl≤0.9的形状比范围，其中dl是磁性结晶粒子的平均高度，ds是平均直径。上述中间层3的饱和磁通密度与上述主磁性层相比至少小0.1特斯拉以上。