公开(公告)号：CN103003391B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180035082.8

申请日：2011-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上修 ,  浅野洋 ,  坂井全弘 ,  西谷干彦 ,  井土真澄

IPC: C09K11/54 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/703 ,  C09K11/623 ,  C09K11/642 ,  H01L33/285

Abstract: 本发明提供一种在紫外域表示较强发光的氧化锌系紫外发光材料。本发明是作为主成分而包含锌和氧、作为第1副成分而包含从由铝、镓及铟组成的群中选出的至少一种元素、以及作为第2副成分而包含磷、且表示n型导电性的紫外发光材料。

公开(公告)号：CN1293580C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN01119667.X

申请日：2001-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上修 ,  加藤纯一 ,  松谷伸哉 ,  藤井浩 ,  高桥岳史

IPC: H01F27/24 ,  H01F1/00 ,  H01F29/00 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F41/127 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26 ,  H01F1/28 ,  H01F17/04 ,  H01F27/027 ,  H01F27/292 ,  H01F41/0246 ,  Y10S156/922 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49071 ,  Y10T29/49073 ,  Y10T29/49158 ,  Y10T29/49172 ,  Y10T29/49176 ,  Y10T29/4922 ,  Y10T29/49261 ,  Y10T29/49277 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T156/11 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/32

Abstract: 本发明提供的复合磁性体，含有金属磁性体粉末和热硬化性树脂，金属磁性体粉末的填充率为65～90体积%，电阻率在104Ω·cm以上。若在这种复合磁性体中埋设线圈，可以获得电感值很大，且直流重叠特性优良的小型磁性元件。

公开(公告)号：CN1407564A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02142292.3

申请日：2002-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上修 ,  半田浩之

IPC: H01F17/00 ,  H01F41/02

CPC classification number: H01F17/0013 ,  H01F3/10 ,  H01F17/04 ,  H01F27/327 ,  H01F41/005 ,  H01F41/046 ,  Y10T29/4902

Abstract: 本发明的磁性元件具有包括平面导体线圈和绝缘性物质的片状线圈和配置在片状线圈的上下面中至少之一上的片状的第一磁性部件，绝缘性物质的导磁率比第一磁性部件的导磁率低。另外，在片状线圈的规定区域上还设置由包含磁性粉末的树脂构成、导磁率大于绝缘性物质且小于第一磁性部件的第二磁性部件。所谓规定区域是不存在平面导体线圈的导体的区域，并且是从片状线圈的中心部和周边部选择的区域中的至少一个场所。另外，本发明的电源模块具有这种本发明的磁性元件。

公开(公告)号：CN103003391A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201180035082.8

申请日：2011-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上修 ,  浅野洋 ,  坂井全弘 ,  西谷干彦 ,  井土真澄

IPC: C09K11/54 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14

CPC classification number: C09K11/703 ,  C09K11/623 ,  C09K11/642 ,  H01L33/285

Abstract: 本发明提供一种在紫外域表示较强发光的氧化锌系紫外发光材料。本发明是作为主成分而包含锌和氧、作为第1副成分而包含从由铝、镓及铟组成的群中选出的至少一种元素、以及作为第2副成分而包含磷、且表示n型导电性的紫外发光材料。

公开(公告)号：CN101151222B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680010482.2

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川真也 ,  井上修 ,  丰田诚司 ,  河濑觉 ,  中田泰彦 ,  横田和弘 ,  越须贺强

IPC: C03C8/04 ,  H01J11/34

CPC classification number: H01J11/12 ,  C03C3/066 ,  C03C3/145 ,  C03C8/04 ,  H01J11/38

Abstract: 本发明提供一种等离子显示器面板及其制造方法，其具有彼此交叉的显示电极(5)和地址电极(10)，由包含第一玻璃的电介质层(6)覆盖显示电极(5)。第一玻璃作为组成成分包含SiO2：0～15wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，并且，第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率的合计在0.1～8wt的范围。另外，第一玻璃包含有SiO2：0～2wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，并且，第一玻璃中含有的MoO3和WO3的含有率的合计也可以在0.1～8wt％的范围。

公开(公告)号：CN1953942B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200680000206.8

申请日：2006-04-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川真也 ,  井上修 ,  丰田诚司

IPC: C03C8/04 ,  C03C8/16 ,  H01J11/02

CPC classification number: C03C3/066 ,  C03C3/145 ,  C03C8/04 ,  H01J2211/38

Abstract: 本发明的被覆电极用玻璃组成物含有：SiO2：0～15wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、Li2O+Na2O+K2O：0～0.1wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，且MoO3和WO3的合计含有率在0.1～8wt％的范围。另外，本发明的被覆电极用玻璃组成物含有：SiO2：0～2wt％、B2O3：10～50wt％、ZnO：15～50wt％、Al2O3：0～10wt％、Bi2O3：2～40wt％、MgO：0～5wt％、CaO+SrO+BaO：5～38wt％、MoO3：0～4wt％、WO3：0～4wt％，且MoO3和WO3的合计含有率在0.1～8wt％的范围。

公开(公告)号：CN101484395A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200780024692.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川真也 ,  井上修 ,  河濑觉 ,  中田泰彦 ,  横田和弘 ,  越须贺强 ,  丰田诚司

IPC: C03C8/04 ,  H01J11/02 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明的等离子显示器面板具有相互交叉的显示电极(5)和地址电极(10)，选自显示电极(5)及地址电极(10)的至少一个电极被含有第一玻璃的第一电介体层(6)被覆，其中，所述第一玻璃为含有Bi2O3的玻璃，且被所述第一电介体层(6)被覆的所述电极含有选自银及铜的至少一种，所述第一玻璃还含有0～4wt％的MoO3、0～4wt％的WO3，且含于所述第一玻璃的MoO3和WO3的含有率的总计为0.1～8wt％的范围。

公开(公告)号：CN101312921A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043380.0

申请日：2006-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上修 ,  长谷川真也 ,  中田泰彦 ,  越须贺强

IPC: C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  H01J11/02

CPC classification number: C03C3/14 ,  C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C4/16 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  H01J2211/38

Abstract: 本发明的玻璃组成物为氧化物玻璃，在所含有的元素中，除氧(O)以外的元素比率为以原子％表示硼(B)为超过72％但在86％以下，锂(Li)、钠(Na)和钾(K)的合计量为8％以上但在20％以下，镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)和(Ba)的合计量为1％以上但在8％以下，硅(Si)为0％以上但低于15％，锌(Zn)为0％以上但低于2％。该玻璃组成物也可以在超过0％而在3％以下的范围中进一步含有钼(Mo)和/或钨(W)。

公开(公告)号：CN104421802A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410406294.8

申请日：2014-08-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 長崎纯久 ,  大林孝志 ,  井上修 ,  奥山浩二郎 ,  新田充 ,  白石诚吾

IPC: F21S8/12 ,  F21V13/00 ,  F21W101/10 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/62 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7736 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7794 ,  F21S41/14 ,  F21S41/16 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01S5/005 ,  H01S5/34333 ,  F21S41/173 ,  F21S41/141 ,  F21S41/18 ,  F21S41/60 ,  F21W2102/00 ,  F21W2107/10

Abstract: 本发明的课题是使使用半导体发光元件的光源装置的发光效率提高，所述半导体发光元件发出具有高能量密度的光。一种光源装置，其包含半导体发光元件和波长变换部件，所述波长变换部件对从所述半导体发光元件发出的光进行波长变换，所述半导体发光元件的发光峰波长为380nm以上420nm以下，从该半导体发光元件发出的光的光能量密度为0.2kW/cm2以上，所述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种，其中0≤x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1。

公开(公告)号：CN104053748A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005296.X

申请日：2013-10-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新田充 ,  白石诚吾 ,  井上修 ,  奥山浩二郎 ,  长崎纯久 ,  大林孝志

IPC: C09K11/59 ,  F21V9/08 ,  G02F1/13357 ,  H01L33/50

CPC classification number: F21K9/56 ,  C09K11/592 ,  C09K11/7729 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  C09K11/7789 ,  F21K9/64 ,  F21S41/00 ,  F21S41/13 ,  F21S41/14 ,  F21S41/141 ,  F21S41/16 ,  F21S41/285 ,  F21S41/30 ,  F21S41/321 ,  F21V9/08 ,  G02B6/00 ,  G02F1/133609 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133614 ,  G03B17/00 ,  G03B19/00 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种发光的量子效率高的(Ba1-z，Srz)3MgSi2O8：Eu2+型荧光体。具体而言，本发明提供一种荧光体，其包括(Ba1-z，Srz)3MgSi2O8型晶体(O≤z＜1)和(Ba1-z，Srz)MgSiO4型晶体作为基质晶体，并且含有Eu2+作为发光中心而发蓝色光。