公开(公告)号：CN1845837A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025181.8

申请日：2004-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 板桥敏行 ,  岩崎守男 ,  小谷悟 ,  赤堀裕志 ,  野村登 ,  小野学

IPC: B60R16/02 ,  B60R11/02 ,  G06F3/033 ,  G02B27/02

CPC classification number: G02B27/01 ,  G02B27/0093 ,  G02B2027/0187

Abstract: 一种输入装置，其可以使使用者在最适合的位置操作电子设备。本发明的输入装置，其具有：显示部，其显示图像；输入检测部，其配置在显示部的前面可向前后方向移动，对面向显示部所显示的操作画面而指示的操作位置进行光学地检测；控制部，其输出与检测的操作位置相对应的控制信号；电动驱动部，其使输入检测部向前后方向移动。驾驶者可以通过将输入检测部的位置变更到适合自己的操作位置，对驾驶者来说，可以在最适合自己的位置操作电子设备。

公开(公告)号：CN1717902A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480001582.X

申请日：2004-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 阪本清美 ,  饭阪笃 ,  山下敦士 ,  野村登

IPC: H04L12/28

CPC classification number: H04W72/02 ,  H04W72/0406 ,  H04W84/18

Abstract: 在移动通信设备1中，当从另一移动通信设备1发送的用于查询是接受还是拒绝参与ad hoc网络中的查询数据包被传送到工作区13时，发射/接收控制部件12确定在存储设备6中设定的拒绝标志是否为1。当所述拒绝标志是1时，所述发射/接收控制部件12产生用于拒绝参与所述ad hoc网络中的第一响应，并将该第一响应通过发射/接收部件14发射到已经发射所述查询数据包的另一移动通信设备1中。

公开(公告)号：CN1212691C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN00130649.9

申请日：2000-10-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加根丈二 ,  石原广隆 ,  野村登 ,  中信二 ,  佐佐木实知夫 ,  柳濑明典 ,  山田哲 ,  海藤广一 ,  谷冈胜也

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q25/00

CPC classification number: H01Q1/38 ,  H01Q5/378 ,  H01Q5/385 ,  H01Q5/40 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q9/065 ,  H01Q19/005

Abstract: 一种天线装置，包括第一辐射元件；第二辐射元件，它位于所述第一辐射元件的对面；以及地，它位于相对于所述第二辐射元件的所述第一辐射元件的对面一侧，并和所述第二辐射元件相对，其中，对所述第一辐射元件或所述第二辐射元件配备馈电端子，以及至少在所述第一辐射元件和所述第二辐射元件之间和所述第二辐射元件和所述地之间产生电场，并进行电波的发送和接收。

公开(公告)号：CN1050694C

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN94115769.5

申请日：1994-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基板的一主面上部分地形成第一层布线层之后，在半导体基板的一主面和第一层布线层上边，在整个面上形成第一层硅氧化膜。在第一层硅氧化膜上边，在整个面上形成由环六甲基二硅氮烷构成的分子层之后，在该分子层上，利用用臭氧和四乙氧基硅烷进行反应的CVD法形成第二层硅氧化膜。在第二层硅氧化膜上边部分地形成第二层布线层。

公开(公告)号：CN1118520A

公开(公告)日：1996-03-13

申请号：CN95104227.0

申请日：1995-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 矢野航作 ,  杉山龙男 ,  上田聪 ,  野村登

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体基片上用铝或铝合金形成第一层金属布线。在形成了第一层金属布线的半导体基片上，在500℃以下的温度下依次形成用作第一层间绝缘膜的第一SiO2膜及用作第二层间绝缘膜的SOG膜。在SOG膜上形成具有憎水性的分子层后，在该分子层上形成第二SiO2膜，作为第三层间绝缘膜。将第一SiO2膜、SOG膜及第二SiO2膜经过刻蚀，形成所要求的形状后，在第二SiO2膜上形成第二层金属布线。