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公开(公告)号：CN101578561B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880001383.7
申请日：2008-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G05F3/26
CPC classification number: H03K17/223 , H03K17/30 , H03K17/6871
Abstract: 本发明提供一种快速恢复电路，在半导体电路从断电状态恢复到工作状态时使用，所述半导体电路在基准电压端子(RT)上连接有用于稳定基准电压的稳定化电容(2)，在该快速恢复电路中，由电流镜电路(40)返回生成滞环比较器(1)的关断侧阈值电压refl的第一电流通路(Ph1)的电流(Ia)而生成第二电流通路(Ph2)的电流(Ib)，其中该第二电流通路生成上述基准电压(Vbias)。比较器(1)被输入上述基准电压(Vbias)作为输入电压(vin)。在上述比较器(1)中，当基准电压(Vbias)变得与上述关断侧阈值电压(refl)相等时，立即停止电流源(I1)对稳定化电容(2)的充电。上述比较器(1)的阈值电压(refl)被设定为要成为基准电压端子(RT)的基准电压(Vbias)的所希望电压值。
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公开(公告)号：CN101453216B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200810176184.1
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器，在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻，并内置于D/A转换器中，用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是：为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器，进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时，由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约，往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间，导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器，不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。
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公开(公告)号：CN101292426B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200680038633.5
申请日：2006-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在多通道电流相加型DAC中，例如在2通道电流相加型DAC中，各通道(A、B)分别由两个小电流的电流源((I11、I12)、(I21、I22)…)构成与数字输入信号(DS)的位数对应的多个电流源(I1、I2…)。当在任一通道中将满标电流限制得较小时，各两个分支电流源通过开关(Sa1、Sa2)仅使其中任一个断开。因此，共用偏置电路的同时，各通道可各自不降低分辨率地调整满标电流。
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公开(公告)号：CN101453216A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810176184.1
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种的D/A转换器，在用于晶片电平老化试验中、用在半导体工艺中可以形成的电阻元件和开关构成输出负载电阻，并内置于D/A转换器中，用控制信号切换上述开关来控制上述电阻元件的使用、不使用。现有的D/A转换器的构成是：为了让使用条件具有通用性而从LSI外部连接输出负载用电阻器、电流值设定用电阻器，进而输入电流值设定用基准电压。当在晶片状态下实施老化试验(晶片电平老化试验)时，由于半导体晶片上的焊盘间隔狭窄等的制约，往往不能在晶片上确保电阻和连接配线的空间，导致D/A转换器的晶片电平老化试验的实施困难。而根据本发明的D/A转换器，不用从外部连接老化试验用的电阻元件等就可以进行晶片电平老化。
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公开(公告)号：CN100380265C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410043131.4
申请日：2004-05-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C5/147
Abstract: 本发明的半导体集成电路是具备产生作为基准的电压的基准电压发生电路、使用该输出电压而动作的功能电路，并将使该输出电压稳定的基准电压稳定电容连接到上述基准电压发生电路的输出端子的半导体集成电路，提供一种能够缩短从待机状态到通常动作状态的恢复时间的半导体集成电路。在待机状态下，功能电路停止动作，但基准电压发生电路避免完全停止，防止基准电压稳定电容放电。由此，在降低模拟电路等功能电路的消耗电力的同时，能够实现从待机状态到通常动作状态的高速恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1445931A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02159360.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/36
Abstract: 本发明的A/D转换器(1a)根据指示分解度的来自外部的控制信号(4)来变更流向放大器的电流，据此使分解度可变。当系统要求的A/D转换器的性能变化时，能降低作为系统整体的电力消耗。
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公开(公告)号：CN1398045A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126870.3
申请日：2002-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/00 , H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/012 , H03K3/356113
Abstract: 本发明旨在提供这样的电平移动电路，即使低压信号的电压电平降低时，该电路也可稳定输出经电平变换的信号。为此，在数字信号在N沟道晶体管15、16源极处输入的CMOS电平移动电路中，N沟道晶体管15、16的栅极处被输入偏置电压Vref，该偏置电压Vref，高于数字信号的高电平电压，但低于数字信号的高电平电压加上N沟道晶体管15、16的阈值电压后的值。
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公开(公告)号：CN101180799B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200580049836.X
申请日：2005-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 生驹平治
IPC: H03M1/74
Abstract: 在电流驱动型D/A转换器中，1LSB的电流源(1)、2LSB的电流源(2)是每次加权为1/2的二进制码的电流源，4LSB的电流源(3)是用温度计代码设计的同一结构的多个电流源中的一个。L＝L3、W＝W3的多个MOS晶体管以共栅-共阴方式连接，并且它们的栅极端子公用，从而构成决定各电流源1～3的恒流值的第一电路(A1)、(A2)、(A4)。对于把各电流源1～3的输出阻抗设定得很高的第二电路B1、B2、B4，其与第一电路(A1)、(A2)、(A4)级联连接，并且在其内部，L＝L4、W＝W4的多个MOS晶体管以共栅-共阴方式连接，并且它们的栅极端子公用。因此，能以更小面积构成，且能使电流源的电流特性更统一，使D/A转换特性的线性提高。
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公开(公告)号：CN101501996B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780029451.6
申请日：2007-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流相加型DAC。在多通道电流相加型DA转换器、例如2通道电流相加型DA转换器中，在其中各通道的电流源矩阵(2a、2b)内分别配置有可成为电流源(Ia、Ib)的电流镜源的基准电流源(Irefa、Irefb)。在工作时，通过控制信号6a、6b来选择处于没有切断电源的通道的电流源矩阵内的基准电流源(Irefa)或(Irefb)进行使用。因此，即使在某个通道被切断了电源的状态下，也能将其他通道的满刻度电流维持为恒定值而不发生变化。
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公开(公告)号：CN101803200A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200980000165.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 生驹平治
IPC: H03M1/74 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6871 , H03K17/162 , H03M1/0682 , H03M1/747
Abstract: 一种差动开关电路，由第1差动开关基本电路(1)和第2差动开关基本电路(2)并联连接构成，第1差动开关基本电路(1)中多个晶体管(TP121、TP122)共享源极节点后形成第1公共源极节点(N1)，第2差动开关基本电路(2)中多个晶体管(TP131、TP132)共享源极节点后形成第2公共源极节点(N2)，第1公共源极节点(N1)和第2公共源极节点(N2)，按照每个时钟脉冲周期，被交替地复位成为规定的电压。
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