公开(公告)号：CN1082718C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN96107136.2

申请日：1996-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  上本康裕 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  吾妻正道

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/92

Abstract: 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba0.7Sr0.3TiO3组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。