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公开(公告)号：CN1341925A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN01124909.9
申请日：2001-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G02F2203/18 , G11B7/1369 , G11B7/1381
Abstract: 本发明提供了一种能够形成超解析象光点以实施微小信息符号记录,并且在实施信息再生时不会由于旁瓣的增大而使信号恶化的光传感器,以及光信息记录再生装置。本发明所提供的一种光传感器,可以具有为了获得沿着与光盘(5)的径向方向形成相位差而分割成三个区域(3a)～(3c)的相位可变滤波器(3),在实施信息记录时,由于可以在中央区域(3b)与两侧区域(3a)、(3c)间形成大小为π的相位差,所以可以在光盘(5)上的记录层处形成超解析象光点。在实施信息再生时,由于可以使相位可变滤波器(3)上的各区域(3a)～(3c)间的相位差为0,所以可以形成旁瓣比较少的、位于常规衍射极限尺寸下的光点。这种相位可变滤波器(3)可以由均匀定向液晶元件构成。
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公开(公告)号：CN100564616C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580005394.9
申请日：2005-02-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种能够提高生长速率，在短时间内培养出晶体均匀性高的大单晶的化合物单晶的制造方法以及用于该制造方法的制造装置。在原料液中，搅拌所述原料液以产生从与原料气体相接的气液界面向着所述原料液的内部的流动，同时使化合物单晶生长。通过所述搅拌，可以容易地将原料气体溶解在原料液中，可以在短时间内实现过饱和状态，能够提高化合物单晶的生长速率，而且，通过所述搅拌，由于形成从原料气体浓度高的气液界面向着原料气体浓度低的原料液内部的流动，原料气体的溶解也变得均匀，因此可以抑制在气液界面产生不均匀的晶核，还可以提高所得到的化合物单晶的质量。
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公开(公告)号：CN101558188A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200880001092.8
申请日：2008-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
Abstract: 本发明提供晶体生长速度快、可以获得高质量的晶体的III族元素氮化物晶体的制造方法；以及III族元素氮化物晶体。本发明是如下的制造方法，即，将III族元素、碱金属以及III族元素氮化物的晶种加入晶体生长容器中，在含氮气体气氛下，将晶体生长容器加压加热，在含有III族元素、碱金属以及氮的熔液中使III族元素以及氮反应，以晶种作为核来生长III族元素氮化物晶体，其中，在将晶体生长容器加压加热之前，添加沸点高于碱金属的熔点的烃。
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公开(公告)号：CN100535200C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200580008118.8
申请日：2005-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明提供一种可以制造高品质结晶的III族元素氮化物结晶的制造装置以及III族元素氮化物结晶的制造方法。使用本发明的装置进行的结晶生长例如可以按如下的方法进行。向反应容器(120)内导入结晶原料(131)以及含氮气体，用加热器(110)进行加热，并在加压气氛下使结晶生长。上述气体从气体供给装置(180)经由上述反应容器的气体导入口而导入上述反应容器(120)内，随后从上述反应容器的气体排出口排到耐压容器(102)的内部。由于上述气体不经由耐压容器(102)便直接导入反应容器(120)，因而可以防止附着在耐压容器(102)等处的杂质混入到结晶生长的场所。另外，因为上述气体在反应容器(120)内流动，所以不会发生诸如蒸发的碱金属等在气体导入口等处的凝集、以及向气体供给装置(180)等处的流入等问题。其结果，可以提高所得到的III族元素氮化物结晶的质量。
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公开(公告)号：CN100351670C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410028224.X
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898778A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200480038996.X
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 森勇介
IPC: H01L21/208 , C30B11/06 , C30B19/02 , C30B29/38
CPC classification number: C30B9/00 , C30B9/10 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法，其是在含有氮的气氛下，使含有选自Ga、Al以及In之中的至少一种III族元素和碱金属的助熔剂中含有Mg，然后在该助熔剂中进行III族氮化物晶体的生长，从而形成III族氮化物基板。由于Mg是III族氮化物晶体的P型掺杂材料，因此即使在晶体中混入Mg，晶体仍然表现出P型或半绝缘性的电特性，在电子器件的应用中不成问题。另外，通过使上述助熔剂含有Mg，在助熔剂中氮的溶解量增大，从而能够以快速生长速率进行晶体生长，晶体生长的重现性也得以提高。
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公开(公告)号：CN1242393C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN01124909.9
申请日：2001-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G02F2203/18 , G11B7/1369 , G11B7/1381
Abstract: 本发明提供了一种能够形成超解析象光点以实施微小信息符号记录，并且在实施信息再生时不会由于旁瓣的增大而使信号恶化的光传感器，以及光信息记录再生装置。本发明所提供的一种光传感器，可以具有为了获得沿着与光盘(5)的径向方向形成相位差而分割成三个区域(3a)～(3c)的相位可变滤波器(3)，在实施信息记录时，由于可以在中央区域(3b)与两侧区域(3a)、(3c)间形成大小为π的相位差，所以可以在光盘(5)上的记录层处形成超解析象光点。在实施信息再生时，由于可以使相位可变滤波器(3)上的各区域(3a)～(3c)间的相位差为0，所以可以形成旁瓣比较少的、位于常规衍射极限尺寸下的光点。这种相位可变滤波器(3)可以由均匀定向液晶元件构成。
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公开(公告)号：CN1610138A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410086095.X
申请日：2004-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02625 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L33/02 , Y10S438/94 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种防止碱金属扩散的半导体器件。在III族元素氮化物结晶衬底上层叠有III族元素氮化物结晶层的III族元素氮化物半导体器件中，所述衬底是在含有碱金属及碱土类金属之中的至少一种的熔融液中，通过使含有氮的气体中的所述氮和III族元素反应并结晶化而制成，在所述衬底上形成有薄膜层，其中，在所述衬底中含有的杂质在所述薄膜层中的扩散系数比该杂质在所述衬底中的扩散系数更小。
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公开(公告)号：CN1193245C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01119278.X
申请日：2001-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/42 , G02B6/4219 , G02B6/4231 , G02F1/37 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/83192 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02272 , H01S5/0612 , H01S5/125
Abstract: 将半导体激光器和其一个基板表面上形成光波导的光波导器件设置在一装配件上。该半导体激光器和光波导器件，按照分别具有活性层和形成有光波导的一个表面朝向装配件的方式安装。用带有间隔物的粘合剂将该装配件与半导体激光器或光波导器件组合成一体，间隔物介于其间以保持均匀的间距，由此可自动地进行高度方向的位置调整，并在高精度光耦合的条件下进行安装。于是，得到一种光波导器件集成模块及其制作方法，其中半导体激光器和平面光波导器件以其高度方向的位置受控的方式被高精度地安装。
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公开(公告)号：CN1540813A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410028219.9
申请日：1996-05-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G02F1/37 , G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2203/60 , H01S3/09415 , H01S3/109 , H01S3/23 , H01S5/0092 , H01S5/02 , H01S5/40 , H01S5/4087
Abstract: 在一个LiTaO3基底1中形成了一些畴反转层3之后，形成一个光学波导。通过对这样形成的光学波长转换元件进行低温退火，便形成一个稳定质子交换层8，其中在高温退火过程中所产生的折射率增大被减少，由此提供了一个稳定的光学波长转换元件。这样，相位匹配波长变得恒定，谐波输出的变化被消除。结果，对于利用非线性光学效应的光学波长转换元件而言，提供了高度可靠的元件。
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