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公开(公告)号：CN103098252A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN102782846A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011853.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
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公开(公告)号：CN101960595A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201080001161.2
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 在非易失性存储元件(100)中，电阻变化层(107)包含第一金属氧化物MOx和第二金属氧化物MOy，以公式13来表示化学反应式且与所述第一金属氧化物、所述第二金属氧化物、氧离子以及电子相关的化学反应的反应能量在2eV以下，所述MOx以及所述MOy的组(MOx，MOy)是从由(Cr2O3，CrO3)、(Co3O4，Co2O3)、(Mn3O4，Mn2O3)、(VO2，V2O5)、(Ce2O3，CeO2)、(W3O8，WO3)、(Cu2O，CuO)、(SnO，SnO2)、(NbO2，Nb2O5)、以及(Ti2O3，TiO2)而成的群中选择的一组。(公式13)
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公开(公告)号：CN103229299B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180013542.7
申请日：2011-11-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/15 , G11C29/56 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , H01L27/02 , H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN102782846B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201180011853.X
申请日：2011-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/06 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具有其的非易失性存储装置，能够减小初始击穿所需的电脉冲的电压，并且能够降低非易失性存储元件的电阻值的偏差。其具有：第一电极（103）；第二电极（105）；和电阻变化层（104），其介于第一电极（103）与第二电极（105）之间，基于在第一电极（103）与第二电极（105）之间提供的电信号，电阻值可逆地变化，电阻变化层（104）具有：与第一电极（103）接触，包含缺氧型的过渡金属氧化物的第一区域（106）；和与第二电极（105）接触，包含比所述第一区域（106）的缺氧度小的过渡金属氧化物的第二区域（107）。第二电极（105）由铱和具有比铱低的杨氏模量的至少一种贵金属的合金构成，铱的含有率为50atm%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102630340B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201180004319.6
申请日：2011-11-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的目的在于提供能够初始击穿时的低电压以及高速工作、且能够抑制接触插塞的氧化的电阻变化型非易失性半导体存储元件的制造方法，在包括由形成在接触插塞(104)上的下部电极(105)、电阻变化层(106)、上部电极(107)构成的电阻变化元件的非易失性半导体存储元件的制造方法中，在将第一导电膜(105′)图形化来形成下部电极(105)之前具有，为了使电阻变化层(106)的端部绝缘化而进行氧化的工序。
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公开(公告)号：CN101946321B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980104930.9
申请日：2009-02-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置(100)，包括：形成有晶体管(101)的基板(102)；在所述基板上覆盖所述晶体管形成的第一层间绝缘层(103)；在所述第一层间绝缘层上形成、与所述晶体管的漏极电极(101a)或源极电极(101b)电连接的第一接触插头(104)或第二接触插头(105)；覆盖所述第一接触插头的至少一部分形成的电阻变化层(106)；在所述电阻变化层上形成的第一配线(107)；和覆盖所述第二接触插头的至少一部分形成的第二配线(108)，所述电阻变化层的端面和所述第一配线的端面在同一面内。
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公开(公告)号：CN102017145A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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公开(公告)号：CN103348472B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280007159.5
申请日：2012-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储元件包括第1电极（103）、第2电极（106）、和夹在第1电极（103）和第2电极（106）之间的由金属的氧化物构成的电阻变化层（104），被配置在第1电极（103）上的电阻变化层（104）包括：具有ρx的电阻率的第1氧化物层（104a）；被配置在第1氧化物层（104a）上且具有ρy（其中，ρx＜ρy）的电阻率的第2氧化物层（104b）；被配置在第2氧化物层（104b）上且具有ρz（其中，ρy＜ρz）的电阻率的第3氧化物层（104c）；和在第3氧化物层和第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接地配置，并不与第1氧化物层（104a）接触，电阻率比第3氧化物层（104c）低，且电阻率与第2氧化物层（104b）不同的局部区域（105）。
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公开(公告)号：CN102714210B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180004314.3
申请日：2011-11-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1675
Abstract: 提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备：第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
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