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公开(公告)号：CN112876251A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110254894.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种基于冷烧结技术制备高性能低介微波陶瓷及方法，方法包括以下步骤：(1)称取适量BaF2原料并与不高于25wt％的去离子水进行混合；(2)将步骤(1)所得的固液混合粉末置于圆柱体模具中，同时放入热压机中进行冷烧结，获得陶瓷生坯；(3)将步骤(2)的陶瓷生坯置入80‑200℃烘箱中烘干至恒重；(4)将步骤(3)的陶瓷生坯放入高温烧结炉中，在700‑950℃退火处理获得致密的BaF2微波介质陶瓷。利用本发明制备的BaF2陶瓷致密度可高达98％，其品质因数相比较于传统固相烧结法可提高53.4％以上，在5G高频段通讯领域中天线基板，谐振器等电子元器件中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114105642B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202111633420.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
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公开(公告)号：CN111018524A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911373497.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低损耗三方晶系钨酸盐基微波介质陶瓷及其制备方法，该微波介质陶瓷的化学通式为Ca3La2W2O12，空间群为R3m，主要原料为CaCO3、La2O3、WO3高纯粉末。制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒压片、烧结。本发明通过调控制备工艺和烧结温度获得的微波介质陶瓷具有以下特点：品质因数Qf为32850～50500GHz，介电常数εr为15.1～18.7，制备工艺简单，成本较低，过程环保。本发明所提供的微波介质陶瓷可用于微波通讯系统中介质谐振器、滤波器、天线等无源器件的核心材料。
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公开(公告)号：CN114195485B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202111633379.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114195485A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111633379.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种低损耗氟氧化物微波介质陶瓷及其制备方法。这种微波介质陶瓷的表达式为MgTiO2F2。本申请中，提供了一种物相稳定单一，无第二相存在的氟氧化物基微波介质陶瓷，其相对介电常数εr为13.5～14.7，品质因数Qf为132850～150500GHz，谐振频率温度系数为–42～–56ppm/℃。本申请的微波介质陶瓷兼具较低相对介电常数以及较高的品质因数，在微波通讯系统无源器件中有非常广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114105642A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111633420.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明涉及电子信息材料及其器件技术领域，尤其涉及一种MgF2陶瓷材料作为超低介微波介质陶瓷的应用。本发明提供了MgF2陶瓷材料作为微波介质陶瓷的应用思路，MgF2陶瓷材料同时具备较高的热导率和超低的介电常数（4.60–4.70），解决了现有微波介质中陶瓷基材料的介电常数高、高分子基FR4热导率低的问题。而且MgF2陶瓷材料介电常数与商用的高分子基FR4板接近，同时具有FR4板不能比拟的超低介电损耗（Qf=85983–103086GHz），在未来毫米波通讯领域具有十分重大的应用前景。
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公开(公告)号：CN113387695A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110638989.9
申请日：2021-06-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了5G通信用低介高品质微波介质陶瓷及其制备方法，方法包括：(1)将纯度为99.99％的原料Co2O3和Al2O3按摩尔比1：2进行配料；(2)将配料、球磨锆球、无水乙醇进行湿法球磨，得到泥浆状原料；(3)将泥浆状原料烘干至恒重，得到干燥的混合料；(4)将混合料过筛分散，后预烧，制得CoAl2O4粉体；(5)将的CoAl2O4粉体加入无水乙醇，研磨分散，形成CoAl2O4浆料；(6)将CoAl2O4浆料烘干至恒重，得到CoAl2O4化合物粉末；(7)将CoAl2O4化合物粉末过筛，取筛下料加入聚乙烯醇溶液，混合均匀后将粉料颗粒过筛，取筛下料压制成圆柱体生坯；(8)将圆柱体生坯置于高温炉中升温，以进行排胶处理；(9)将排胶处理后的圆柱体生坯进行烧结处理，得到CoAl2O4微波介质陶瓷。
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公开(公告)号：CN110885243A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911198591.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，特别是涉及一种低介电常数铝酸盐微波介质陶瓷材料及其制备方法，其制备方法主要包括：配料、一次球磨、预烧、二次球磨、造粒、压片、烧结。本发明制得的铝酸盐微波介质陶瓷的化学表达式为：CaAl4O7，主要原料为CaCO3，Al2O3。通过调控陶瓷的烧结温度合成的CaAl4O7陶瓷性能稳定，微波介电性能优异，在无线通讯设备如微波基板、微波滤波器等元器件中有极大的应用价值。
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