公开(公告)号：CN112332813A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011282372.X

申请日：2020-11-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥 ,  陈俊杰 ,  李路平 ,  王旭亮 ,  韩琪 ,  罗文瑶 ,  吕伟锋

IPC: H03K3/356 ,  H03K3/012

Abstract: 本发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路，电路具有非易失的特点并且带有异步置位复位功能。整个电路包括三个模块：前级忆阻D锁存器模块，后级忆阻D锁存器模块以及异步忆阻置位复位模块。前级忆阻D锁存器模块包括MOS管T1、T2、T3、T4和T5，忆阻器M1，电阻R1以及2个CMOS反相器N1和N2；后级忆阻D锁存器模块包括MOS管T6、T7、T8、T9和T10，忆阻器M2电阻R2以及2个CMOS反相器N5和N6；异步忆阻置位复位模块包括忆阻器M3、M4、M5、M6、M7、M8和M9，以及2个反相器N7和N8；还有用于时钟输入的2个CMOS反相器N3和N4。电路利用了Biolek阈值型忆阻器，该模型具有阈值特性以及记忆特性，利用这种忆阻器模型使得整个电路结构简单，响应速度快。

公开(公告)号：CN113054986B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110263913.2

申请日：2021-03-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥 ,  李路平 ,  罗文瑶 ,  王旭亮 ,  陈俊杰 ,  韩琪

IPC: H03K19/00

Abstract: 本发明公开了一种三端可控型忆阻器模拟电路，包括正向滞回控制模块U1，反向滞回控制模块U2，非易失控制模块U3，电压比例控制模块U4，电流转换模块U5。正向滞回控制模块，反向滞回控制模块相连，用于产生双向滞回特性曲线。非易失控制模块与电压比例控制模块相连，实现非易失特性及阻值转换特性。电压比例控制模块输出端与电流转换模块相连，用于产生与忆阻器电流成正比的电压。电流转换模块分别与电压比例控制电路和正向滞回控制模块，反向滞回控制模块相连，用于将电压比例控制模块输出的电压转变为电流以此保证忆阻器模拟电路输入、输出端口具有相同大小的电流。

公开(公告)号：CN112787657A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110029649.6

申请日：2021-01-11

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 林弥 ,  王旭亮 ,  李路平 ,  陈俊杰 ,  韩琪 ,  罗文瑶

IPC: H03K19/177

Abstract: 本发明公开了一种可编程忆阻器逻辑电路，包括第一阈值型忆阻器Ma、第二阈值型忆阻器Mb、第三阈值型忆阻器Mc、第四阈值型忆阻器Md、第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2、第三NMOS晶体管M3、第四NMOS晶体管M4、第五NMOS晶体管M5、第六NMOS晶体管M6、第一电阻R1和第二电阻R2、第一使能端S1、第二使能端S2和第三使能端S3。该电路通过调节使能端来实现在同一电路中完成“与”、“或”、“非”逻辑运算的功能，电路结构简单，功能调节灵活，对基于忆阻器的数字逻辑电路的研究具有重大意义。