-
-
公开(公告)号：CN106785268A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710032242.2
申请日：2017-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及中心频率及带宽全可调的四分之一模基片集成波导滤波器。本发明利用由双层介质板叠加构成的1/4模基片集成腔体滤波器,中间层金属面通过金属柱B与QMSIW结构构成同轴谐振腔结构；中间层金属面通过金属柱C使调谐元件加载在上介质板顶层，为加载调谐元件提供物理空间；中心频率以及带宽的调谐通过加载变容管来实现。上层金属面与中间层金属面构成较强电容效应，通过外部并联加载的变容管来调谐频率，实现SIW结构的频率调谐；两谐振腔间通过加载变容管来调谐耦合强度,实现SIW结构带宽调谐；同时引入QMSIW迎合现代射频通信系统对于小型化的要求，并解决传统腔体滤波器很难通过外部加载调谐原件来完成可调的问题。
-
公开(公告)号：CN117932534A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410087927.7
申请日：2024-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学浦江微电子与智能制造研究院有限公司
IPC: G06F18/25 , G06F18/27 , G06F18/213 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/0985 , G06N20/10 , G06F18/2411 , G06F123/02
Abstract: 本发明公开了一种基于HPO‑SVR‑LSTM的水晶研磨时间预测方法，首先通过水晶研磨工业控制系统采集数据并构建数据集，对研磨控制参数序列进行预处理降低样本中的敏感性；构建SVR非线性时长预测单元以及LSTM神经网络时长预测单元，捕捉数据的非线性特征及多元变量间的映射关系；融入输入注意力模块，提取研磨控制参数间的时空关系特征并分配权重；融入HPO优化算法，迭代寻优预测单元的超参数以及单元组合比例，提高模型性能与稳定性，并输出水晶研磨时间的预测值。有效改善了水晶过磨或者少磨而造成质量不稳定的问题，不再需要工人依据经验对研磨时间进行估计与调整，提高了预测的稳定性。
-
公开(公告)号：CN116944962A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311158185.4
申请日：2023-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学浦江微电子与智能制造研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于力位融合的水晶加工方法及装置。本发明将力位融合水晶加工控制模块设计在升降电机驱动器中形成专用伺服电机驱动器，并通过上位机控制器将相应加工参数传输给专用伺服电机驱动器，由力位融合水晶加工控制模块根据加工参数输出设定的加工力矩，并实时检测磨盘位置，在到达设定加工进深后及时停止加工并退位。本发明方法可以根据每个加工面的大小动态调整加工力矩，并保证输出力矩小于夹具承受的力矩。本发明改善了过磨或少磨的问题，降低了磨盘的损耗及电力的消耗，提高了水晶产品加工的质量。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112563711A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011319719.3
申请日：2020-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种矩形贴片‑半模基片集成波导杂交型90度定向耦合器，为轴对称结构；包括矩形贴片、两个背靠背的半模基片集成波导、金属化通孔阵列、梯形渐变线、50欧姆微带线、激励端口、直通端口、耦合端口和隔离端口；其中，直通端口和耦合端口为半模基片集成波导端口，可直接与半模基片集成波导器件(比如半模基片集成波导天线)连接；激励端口和隔离端口为微带端口，可直接与有源电路或匹配负载连接，有利于提高系统集成度；而且该定向耦合器还具有结构紧凑和插入损耗低等优点。
-
公开(公告)号：CN110767963B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201910865886.9
申请日：2019-09-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器的新型可重构双频带通滤波器。本发明引入了一种忆阻器调控电路，可以有效避免忆阻器调控电压对整体电路测试的干扰。同时本发明提出一种利用具有宽调谐范围的忆阻器作为基础并且通过控制调控电压能够实现滤波器通带可重构的射频滤波器结构。加载的忆阻器拥有低功耗、高频下极好线性度等优点，迎合了现代射频通信系统的发展需求。忆阻器尺寸小的特点为缩小整体电路尺寸带来了优势，同时加载的忆阻器能够实现射频滤波器中多模式切换的功能。
-
公开(公告)号：CN107946710B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711380396.7
申请日：2017-12-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开基于RQMSIW的超紧凑双频段带通滤波器。本发明基于QMSIW结构，通过在其中加载脊波导，使滤波器产生了类似于矩形腔的谐振特性，在脊波导下嵌入开路带状线，激发了滤波器的高次模即TE201模，产生了双频段响应，加载在带状线的两条短截线用来改善了第二频段的性能。本发明首次在QMSIW结构中实现了双频段滤波器，为研究基于SIW结构的双频段滤波器提供了新思路。
-
公开(公告)号：CN108539336B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810448519.4
申请日：2018-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明涉及一种带宽可独立控制的HMSIW双模双频带滤波器。本发明利用双层HMSIW腔交错折叠方式，通过垂直耦合方式构成双频带滤波器；利用HMSIW腔的TE101和TE201模同时工作，两个腔的TE101模构成第一通带，两个腔的TE201模构成第二个通带；中间层有6个耦合槽，改变耦合槽的大小可以控制两个通带的耦合强度；输入输出馈线分别加载在上层金属面和下层金属面。通过引入HMSIW双模工作和利用双层板叠加的方式迎合了现代多标准射频系统对于小型化的要求并解决了传统双频带滤波器尺寸大、设计复杂的问题。
-
公开(公告)号：CN105742765B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610049778.0
申请日：2016-01-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种中心频率及带宽全可调的HMSIW滤波器。本发明利用由双层介质板叠加构成的半模基片集成腔体滤波器,且上层介质板比下层介质面积大，为加载调谐元件提供了物理空间，中心频率以及带宽的调谐通过加载变容管来实现。上层介质板金属层凹陷与下层介质板金属层构成较强电容效应，谐振频率的下降不再仅仅依靠增大谐振腔尺寸，通过外部并联加载的变容管来调谐频率，创新性的实现了SIW结构的频率调谐方式，同时引入HMSIW迎合了现代射频通信系统对于小型化的要求并解决了传统腔体滤波器很难通过外部加载调谐原件来完成可调的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.024 seconds)
