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公开(公告)号:CN116679128A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310817161.9
申请日:2023-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种射频电源的阻抗检测电路及方法,该电路中定向耦合器的输入端与所述射频电源输出端连接,输出端与阻抗匹配器连接,阻抗匹配器的输出端连接等离子体负载,定向耦合器的耦合端和隔离端分别耦合出矢量电压信号;第一电压测量模块与定向耦合器的耦合端连接;第二电压测量模块与定向耦合器的隔离端连接;模数转换模块与第一电压测量模块和第二电压测量模块连接;处理器与模数转换模块连接,将转换完成的第一第二电压数字信号进行分析处理确定负载阻抗、射频电源输出功率和负载功率。本发明电路结构更简单,在成本上有优势,实现了对等离子体负载变化的实时监测,为实现更复杂的工艺提供了有效技术支持。
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公开(公告)号:CN113810068B
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202111046083.4
申请日:2021-09-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种AIS‑MOB射频信号产生电路,针对现有的AIS‑MOB发射电路存在体积大、功耗和成本高、调试复杂等缺陷,本发明方案如下:发射电路由MCU、DAC、VCXO1、VCXO2、第一与非门、第二与非门、第三与非门、带通滤波器构成。MCU将需要发送的消息调制为数字数据并送入DAC中,DAC将数字信号转化为模拟信号,与VCXO1、VCXO2、带通滤波器配合产生两个发射频点的GMSK信号。MCU、第一与非门、第二与非门、第三与非门配合完成信道选择功能。
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公开(公告)号:CN111181607A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN202010021643.X
申请日:2020-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H04B7/0413 , H04B7/0426 , H04B7/0456 , H04B17/336
Abstract: 一种基于选择软消息转发的物理层编码优化天线选择方法。本发明公开了一种物理层编码优化天线选择的方法,包括:S1.将待发送的信号经信道传输至中继节点;S2.中继节点信号采用和差线性变换方法获得和信号和差信号;S3.中继节点采用迫零检测方法处理获得的和信号和差信号中由信道引入的失真,得到信号;S4.中继节点筛选信号,并对信号采用对数似然比映射方法映射为对数似然形式;S5.中继节点基于互信息的天线集预选择方法删除一部分天线获得初始天线集;S6.中继节点基于最大最小互信息准则的天线选择方法,选取所需的天线集,并将发射功率平均分配给选取的天线;S7.中继节点通过选取的天线将映射得到的信号广播发送至用户节点;S8.用户节点采用基于门限判决的译码方式,对接收到的信号进行译码,得到最终结果。
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公开(公告)号:CN106788299A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611110334.X
申请日:2016-12-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03G3/30
CPC classification number: H03G3/3036
Abstract: 本发明公开了一种基于ADL5501的射频AGC模块。本发明包括衰减器模块、放大模块、功分器模块,滤波模块,ADL5501检波模块、比较器模块。衰减器模块包括第一电容C1,第二电容C2,第七电容C7,第八电容C8,第十五电容C15,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第七电阻R7,第八电阻R8,第九电阻R9,第十电阻R10,第十一电阻R11,第一芯片U1(型号为HSMP3866),第一三极管Q1(型号为C3355)。本发明利用ADL5501芯片的低功耗宽频带,出色的温度稳定性以及工艺稳定性,设计了一种宽频带高动态范围适用于射频电路的AGC模块,可用于大多数射频电路中。
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公开(公告)号:CN201039171Y
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200620141474.9
申请日:2006-12-26
Applicant: 浙江三维通信股份有限公司杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及一种射频转发设备中输入输出异频的数字中频滤波器,模拟中频信号与A/D模块输入端相连接,其中模拟中频信号的输入频率为140MHz,并且带宽小于31.25MHz;A/D转换后的信号与数字滤波模块、2倍内插及低通滤波模块一、20MHz本振与混频滤波模块、2倍内插及高通滤波模块、2倍内插及低通滤波模块二的输入端依次相连接;输出信号、250MHz本振与混频模块的输入端相连接,其输出信号经D/A模块输出。本实用新型有益的效果是:可实现对输入中频140MHz的信号滤波,并可实现多种信道滤波特性,并可将输出中频提升到160MHz,以更便于后面上变频器的制作。
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