公开(公告)号：CN115924928A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211444287.8

申请日：2022-11-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 胡亮 ,  杨秉璋 ,  张振乾 ,  全清林

IPC: C01B35/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。

公开(公告)号：CN115020053A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210619526.2

申请日：2022-06-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张义坤 ,  贾佑顺 ,  张振乾 ,  李领伟

IPC: H01F1/053 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明属于稀土磁性功能材料技术领域，本发明提供的应用于磁制冷的R2TiNiO6稀土氧化物，其中R为Gd，Tb和Dy中的一种或两种，所述R2TiNiO6氧化物为单斜型晶体结构，属于P21c空间群；所述R2TiNiO6氧化物在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.8J/kgK～32.5J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为15.9J/kgK～43.8J/kgK。本发明具有原材料成本低廉、制备方法简单、以及良好的磁、热可逆性质。该方法工艺简单、适用于工业化。

公开(公告)号：CN114566341A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210204602.3

申请日：2022-03-03

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李领伟 ,  应家昱 ,  张振乾 ,  张义坤

IPC: H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料，其组成式为(DyxHoyEr1‑x‑y)(CoαNi2‑α)，0≤x≤0.85、0≤y≤0.85、0.7≤α≤1.3，具有Laves相立方型结构，属于Fd‑3m空间群。本发明还公开了一种应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法。采用本发明所述的应用于液氮至液氢温区的磁制冷材料的制备方法制备的磁制冷材料，具有磁热性能大、制冷温区宽的特点；并且居里温度在10‑80K之间变化，覆盖了氢气至氦气的液化区间，形成一系列中温区磁熵变较大且平缓变化的新型磁制冷材料。

公开(公告)号：CN113929446A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111114584.1

申请日：2021-09-23

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李领伟 ,  成瑶 ,  张振乾

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/45 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土钙钛矿高熵氧化物材料及其制备方法与应用，其中RE为稀土Gd，Tb，Dy，Ho，Er中的二种或三种且各组成元素摩尔含量范围为25％‑55％、总含量为100％，TM为Mn，Fe，Co，Cu，Ni，Zn，Al，Cr中的三种或四种且各组成元素摩尔含量范围为20％‑35％、总含量为100％；RETMO3材料为单相正交钙钛矿结构，属于Pnma空间群。RETMO3高熵氧化物材料在0～5T的外场变化下，其等温磁熵变为13.6‑18.2J/kg K。本发明制备的RETMO3高熵氧化物材料应用于低温区磁制冷领域，所需设备简单，工艺简洁可靠，所得产物纯度高稳定性好，适合工业化生产。