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公开(公告)号：CN109766645B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910038760.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种三值忆容器的电路模型。本发明包括负磁通‑φ项产生电路，φ+0.25项产生电路，φ‑0.25项产生电路，饱和输出电压Usat1项产生电路，饱和输出电压Usat2项产生电路，‑0.04sgn(φ+0.25)项产生电路，0.025sgn(φ‑0.25)项产生电路，C(φ)项产生电路，电荷q(t)产生电路。本发明原理简单、结构清晰、易于实现。该电路模型可用于三值忆容器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器以及非线性电路等诸多领域中的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109766643B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201910038725.2
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种三值忆阻器的电路模型。本发明包括负的磁通‑φ项产生电路，φ+0.25项产生电路，φ‑0.25项产生电路，‑0.04sgn(φ+0.25)项产生电路，0.025sgn(φ‑0.25)项产生电路，G(φ)项产生电路，电流i(t)产生电路。本发明含有2个集成运算放大器芯片、1个电压比较器芯片、1个乘法器，结构清晰简单、易于实现。该电路模型可用于三值忆阻器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器、人工神经网络电路以及多值逻辑运算等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111755051B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010566323.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的2‑9线三值译码器电路。本发明由两个1‑3线三值译码器和九个三值与门组成，并利用忆阻器的开关特性和记忆特性实现译码。1‑3三值译码器包括一个正极性三值反相器PTI、两个负极性三值反相器NTI和一个三值或非门TNOR，实现的功能是输入一个一位的三值电平信号，通过一个1‑3三值译码器得到的三个与输入信号一一对应的高、低电平信号。三值与门由两个忆阻器构成，实现的功能是求两输入的最小值。本发明结构清晰简单、易于实现，可用于多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111555751A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010488530.0
申请日：2020-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的三值异或和同或逻辑门电路。本发明包括一个三值或门TOR，一个三值与门TAND，一个三值非门TI，一个三值与非门TNAND，利用忆阻器的开关特性和记忆特性实现，第一输入端IN1和第二输入端IN2分别为三值或门TOR和三值与非门TNAND的公共输入端，三值或门TOR的输出和三值与非门的输出为三值与门TAND的两个输入，三值与门的输出为三值非门TI的输入，最终得到三值与门TAND的输出为异或TXOR，三值非门TI的输出为同或TXNOR。本发明结构清晰简单、易于实现。该门电路模型可用于多值数字逻辑运算等诸多领域中的应用研究，具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109766645A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910038760.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种三值忆容器的电路模型。本发明包括负磁通-φ项产生电路，φ+0.25项产生电路，φ-0.25项产生电路，饱和输出电压Usat1项产生电路，饱和输出电压Usat2项产生电路，-0.04sgn(φ+0.25)项产生电路，0.025sgn(φ-0.25)项产生电路，C(φ)项产生电路，电荷q(t)产生电路。本发明原理简单、结构清晰、易于实现。该电路模型可用于三值忆容器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器以及非线性电路等诸多领域中的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN209168109U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201920068747.9
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本实用新型公开了一种三值忆感器的电路模型。本实用新型利用集成运算放大器、电压比较器和模拟乘法器电路实现忆感器特性中的相应运算，其中，集成运算放大器主要用于实现电压和磁通量的积分运算、比例运算、反相求和运算。电压比较器用于实现电压大小的比较。模拟乘法器用于实现磁通量φ与L-1(ρ)的乘积运算。该电路模型可用于三值忆感器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器、人工神经网络电路以及混沌振荡器电路等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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公开(公告)号：CN209168108U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201920068482.2
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本实用新型公开了一种三值忆容器的电路模型。本实用新型利用集成运算放大器、电压比较器和模拟乘法器电路实现忆容器特性中的相应运算，其中，集成运算放大器主要用于实现电压的积分运算、比例运算、反相求和运算。电压比较器用于实现电压大小的比较。模拟乘法器用于实现激励电压V(t)和C(φ)的乘积运算。本实用新型原理简单、结构清晰、易于实现。该电路模型可用于三值忆容器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器以及非线性电路等诸多领域中的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN209168107U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201920068469.7
申请日：2019-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本实用新型公开了一种三值忆阻器的电路模型。本实用新型利用集成运算放大器、电压比较器和模拟乘法器电路实现忆阻器特性中的相应运算，其中，集成运算放大器主要用于实现磁通量的积分运算、比例运算、反相求和运算。电压比较器用于实现电压大小的比较。模拟乘法器用于实现方程中各项的乘积运算。该电路模型可用于三值忆阻器电路的实验以及应用，在高密度非易失性存储器、人工神经网络电路以及多值逻辑运算等诸多领域中的应用研究具有重要意义。
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