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公开(公告)号：CN105648419A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610038377.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明涉及一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法。目前六方氮化硼原子层薄膜的可通过化学气相沉积法生长，但六方氮化硼原子层薄膜生长质量不高，比如单晶晶畴尺寸小，薄膜表层有分散的氮化硼颗粒物或连续的颗粒膜，这些都影响到氮化硼薄膜的性能与应用。本方法通过化学气相沉积法首先合成氮化硼薄膜，然后在不同气氛中对薄膜进行热处理去除表层中的颗粒物，获得薄膜厚度降低后的高质量六方氮化硼二维薄膜，这种方法对于降低氮化硼薄膜厚度与提高薄膜质量是有益的。
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公开(公告)号：CN102557022A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210052928.5
申请日：2012-03-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯导电泡沫的制备方法。本发明方法首先将石墨片加入含有硝酸钠的浓硫酸中，再加入高锰酸钾，35～40℃下保温60～90分钟；磁力搅拌下加入水，85～95℃下保温60～90分钟；加入质量含量30%的双氧水，搅拌后过滤，经过两次分散和离心分离后超声分离，获得氧化石墨烯；将泡沫分散有氧化石墨烯的水中，将氧化石墨烯涂覆在泡沫表面，捞出泡沫后浸入含有还原剂的水溶液中进行还原反应，获得表面涂覆石墨烯导电层的导电泡沫。本发明方法通过泡沫表面吸附石墨烯导电薄膜获得导电泡沫，制备的导电泡沫具有密度低、电导率高、比表面积大、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN102337513A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110336836.5
申请日：2011-10-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及石墨烯透明导电薄膜的制备方法。目前大尺寸石墨烯导电薄膜向透明基底转移制备透明导电薄膜的过程中需溶解去除金属催化剂，去除高分子保护膜，易造成薄膜表面污染及无法重复利用催化剂的问题。本发明方法首先以过渡金属为催化剂通过化学气相沉积法制备了石墨烯，然后用粘结剂将过渡金属表面生长的石墨烯与透明薄膜基底粘结在一起，通过机械外力将金属与石墨烯分离，分离后的石墨烯转移至透明基底表面实现了石墨烯透明导电薄膜的制备。本发明方法制备的石墨烯透明导电薄膜，尺寸大、表面无污染，光学、电学性能优异，成本低，而且还具有柔性，可用作氧化铟锡透明导电玻璃的替代材料。
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公开(公告)号：CN101693599A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910152887.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种四氧化三锰薄膜的制备方法。目前方法所用设备和工艺复杂，制备的薄膜面积尺寸小。本发明方法首先将四水合二氯化锰晶体溶于乙二醇溶剂配成二氯化锰溶液，将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，然后将乙二胺溶液加入到二氯化锰溶液中至pH值为6.5～7.5，形成混合溶液；将混合溶液在20～60℃条件下保温10～20小时形成溶胶；将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成四氧化三锰薄膜。本发明方法可以大面积镀膜，所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN101665329A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910152682.7
申请日：2009-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种四氧化三钴薄膜的制备方法。目前方法所用设备和工艺复杂，制备的薄膜面积尺寸小。本发明方法首先将六水合氯化钴晶体溶于乙二醇溶剂配成氯化钴溶液，将乙二胺液体溶于乙醇配成乙二胺溶液，然后将乙二胺溶液加入到氯化钴溶液中至pH值为6～7，形成混合溶液；将混合溶液在20～60℃条件下保温6～20小时形成溶胶；将溶胶采用提拉法涂覆到玻璃上，在30～60℃干燥0.5～5小时，形成凝胶膜；将玻璃上的凝胶膜加热，在400～500℃条件下热处理30～60分钟，形成四氧化三钴薄膜。本发明方法可以大面积镀膜，所用原料、设备和合成工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101118947A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710071265.0
申请日：2007-09-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种利用太阳光照的热能进行低温发电的太阳能低温热利用发电原型器件及制造方法。目前还没有利用太阳能的低温转换为电能的相关技术。本发明绝缘平板材料基板上设置有P型下平板电极和N型下平板电极，p型Bi2Te3热电材料柱体和N型Bi2Te3热电材料柱体分别连接在P型下平板电极和N型下平板电极上。上平板电极设置在P型转换体和N型转换体上，钒钛陶瓷吸热平板设置在上平板电极上。本发明将吸热材料与热电材料结合，利用Bi2Te3热电材料能够将该太阳能的低温热利用区范围内的热能转换为电能，实现了利用太阳光照的热能进行低温发电。
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公开(公告)号：CN114284385B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111617517.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器的制备方法，本发明首先合成磷化亚铜，然后在磷化亚铜一侧涂抹银胶，然后进行硫化，随后在器件两侧涂抹银胶作为电极。本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，制备了硫化亚铜‑硫化银pn结光电探测器。本发明在紫外光的照射下，器件在电压增强情况下，电流呈指数式下降趋势，电流达到μA级别；而在无光照情况下，器件并未出现上述情况，电流仅为nA级别。
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公开(公告)号：CN114188425B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111491980.6
申请日：2021-12-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光探测器件的制备方法，将生长于基底表面的磷化亚铜二维薄膜安放于热蒸发蒸镀仪器的样品座上，通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极；通过掩膜法在磷化亚铜表面沉积银电极，具体为：首先抽真空，当腔体真空度低于10pa时，将衬底加热至150℃～350℃；待‑3真空计示数低于4.0×10 Pa时，开始蒸镀银薄膜；通过调节蒸发电流来控制蒸发速率，蒸发速率调节于1.8‑2.2A/s；当薄膜厚度增长至200～500纳米时，停止蒸镀，待其冷却至室温时，获得器件。本发明通过磷化亚铜与金属材料结合，形成肖特基二极管，制备该二极管所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光与近红外光光效应速率较好。
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公开(公告)号：CN114420925B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210057770.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M4/48 , B01J23/06 , B01J23/72 , C01B25/08 , C01G9/03 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , C23C26/00
Abstract: 本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。
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公开(公告)号：CN112744876B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011590106.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋线形貌硫化钯颗粒的自组装方法，本发明先将硫固体粉末放在石英舟中，再将石英舟放入石英管，将氯化钯盐酸溶液放在基底上，基底放置在石英管中，位置在载气流向下游方向，石英管中输入载气氩氢混合气并加热保温，待冷却到200‑250℃后取出并在室温下冷却至室温，获得硫化钯球形颗粒自组装图案；本发明将金属钯盐和硫高温下发生化学反应，该自组装图案是通过化学反应‑扩散机制形成。
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