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公开(公告)号:CN118843385A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202410824791.3
申请日:2024-06-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明申请公开一种周期性铁电畴结构及其快速制备方法。周期性铁电畴结构包括多个纳米级铁电畴,和分布在纳米级铁电畴之间的相结构,使得多个纳米级铁电畴与相结构呈周期性交替分布,自发形成多相共存结构,所述相结构为顺电相,且该多个纳米级铁电畴以条带状排布于一二维铁电薄膜内。本发明还提供该周期性铁电畴结构的快速制备方法,其通过向一二维铁电薄膜施加一预定大小的温度场,在导热率良好的衬底导热作用下,二维铁电薄膜内可自发形成周期性铁电畴结构。该周期性铁电畴结构的制备方法具有制备效果好、制备效率高、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号:CN116929607A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310896609.0
申请日:2023-07-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明属于柔性压力传感器领域,针对如何通过简单工艺制备对环境友好的多级多孔柔性压力传感器的技术问题,本发明提供一种丝瓜络基柔性压力传感器的制备方法,本发明利用天然丝瓜络作为柔性基体设计并制备了一种多级多孔柔性压阻式压力传感器。首先在天然多孔丝瓜络表面浸润包覆碳纳米管,随后利用压片机对负载碳纳米管的丝瓜络进行扁平化工艺处理得到压片后的丝瓜络/碳纳米管多级多孔导电活性层,经压力传感测试,显示基于扁平化丝瓜络/碳纳米管多级多孔导电活性层的柔性压力传感器在宽压力传感范围内保持高灵敏线性压力响应,兼具较快的响应速度和优良的重复性,也可检测微小压力,同时可以通过改变丝瓜络质量和工作电压实现灵敏度的调控。
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公开(公告)号:CN114737155B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202111579467.2
申请日:2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域,公开了一种机械变形耐受的环保超疏水柔性膜及其制备方法、应用,本方案获得的机械变形耐受的环保超疏水柔性膜包括聚二甲基硅氧烷柔性衬底和Zn纳米薄膜,Zn纳米薄膜在聚二甲基硅氧烷柔性衬底上形成人字形褶皱结构,褶皱结构包括微纳层级结构,具有疏水性好,机械柔韧性好,对环境友好的特点,可应用于柔性电子技术、可穿戴设备、微流控领域以及生物医学工程等;本发明还提出了一种机械变形耐受的环保超疏水柔性膜的制备方法,具有简单高效快捷的特点,能应用于实际生产。
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公开(公告)号:CN110176433B
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN201910362021.0
申请日:2019-04-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域,具体涉及一种柔性基复合衬底及其制备方法。所述的复合衬底包括一层柔性有机聚合物层以及与柔性有机聚合物层粘结并且成为一个整体的单晶薄片。其通过将有机聚合物溶液主剂与固化剂按一定比例混合后旋涂于玻璃基片,形成柔性薄膜;然后当柔性薄膜固化至半固化状态后;将单晶薄片转移至半固化状态的柔性薄膜表面,待固化完全后,将其从玻璃基底剥离,得到柔性基复合衬底。本发明克服了现有技术中的电子器件衬底无法兼顾器件优良的物理性能和柔韧性的缺陷,因而在具有稳定物理性能的前提下还具有较好柔韧性以及延展性的优点;同时本发明制备方法还具有简单有效,无须复杂的仪器以及昂贵试剂的特性。
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公开(公告)号:CN111910149A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010657263.5
申请日:2020-07-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜材料技术领域,尤其涉及一种周期性多方向厚度梯度薄膜的制备方法,包括以下步骤:将掩模板悬空固定于基底上方,放入溅射仪的真空腔内,将靶材固定于阴极上,基底置于正对靶面的阳极上,抽真空后,通入惰性气体,采用溅射法制备周期性多方向厚度梯度薄膜;所述掩模板与基底的距离为h;所述掩模板具有网孔,所述网孔的尺寸记为w,肋宽记为d,所述h、w和d可调节;所述h>0。本发明可以一次性制备出多方向的厚度梯度薄膜,并且为周期性密布排列,该周期性多方向厚度梯度薄膜具有高通量的特点,有利于大规模的集成研究与应用,在柔性电子材料与器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN111074130A
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201911343061.7
申请日:2019-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法,RE为轻稀土Ce,Pr,Nd中的一者或多者之间的混合;所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构,属于P6/mmm空间群;在0~2T的磁场变化下,等温磁熵变为2.5-7.2J/kgK,在0~5T的磁场变化下,等温磁熵变为5.8-13.8J/kgK;在0~7T的磁场变化下,等温磁熵变为9.4-12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子,破碎成粉末与锌粉按比例混合,利用热压的方法制备出致密的合金块,对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉,制备方法工艺简单、适用于工业化。
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