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公开(公告)号：CN109037957A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810622647.6
申请日：2018-06-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及三维新型宽带吸波式频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构基于两个或多个二维阵列平面级联的方式，通带窄并且插入损耗大，吸波性能不够优异。本发明采用传输通道结合吸波通道结构的方式，搭建出三维新型宽带吸波式频率选择结构，能够实现一个通带，具备低插入损耗和高频率选择特性；两个宽带吸波带，位于通带两侧，此结构吸波率高，厚度较一般的三维吸波式频率选择结构薄。
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公开(公告)号：CN108365306A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810048246.4
申请日：2018-01-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及新型双极化低通带吸型频率选择结构。传统的吸波性频率选择结构都采用带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频。本发明采用单环反射平面，结合单环电路模拟吸收器，搭建出双极化低通带吸型频率选择结构，能够实现低频通带内低插入损耗，并在临近高频处产生一个较宽的吸波带。
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公开(公告)号：CN119674554A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411771547.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于磁性材料的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下包括紧贴的磁性材料层和能选层；其中，所述能选层包括介质基板，以及在介质基板上设有的第一至第七金属结构和第一至第八二极管。本发明通过多个二极管形成完整回路，通过磁性材料与能选层间的阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在高频处实现了超宽的吸收带；在高功率电磁波入射时，在工作频段内实现了具有较高的屏蔽效能，并在带外实现了超宽的吸收带。本发明整体设计结构简单，原理清晰，便于加工，成本低廉，应用前景十分广泛。
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公开(公告)号：CN119209024A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411384374.8
申请日：2024-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种带高选择增益滤波特性的透射阵天线，包括作为透射面的平面透射阵列和作为馈源的喇叭天线；通过绕中轴线旋转平面透射阵列的发射磁电偶极子的馈电部分0°或180°来实现180度的透射相位差；平面透射阵列包括多个周期性无缝分布的透射单元，每个透射单元在受到y极化入射波的时候产生不同的补偿相位，以此形成所需要的波束方向；本发明方法基于加载分裂环谐振器的磁电偶极子天线，能够在平面结构下实现较高的选择性，避免了天线‑滤波器‑天线结构中需要复杂的滤波器部分的设计和三维结构较高的剖面，可以广泛的应用于远距离通信，同时能更充分的利用有限的电磁频谱。
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公开(公告)号：CN119009498A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411122993.X
申请日：2024-08-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及一种三阶带通型宽带高防护的能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从下到上依次包括第一能选层、第一介质层、第一频选层、第二介质层、第二能选层、第三介质层、第二频选层、第四介质层、第三能选层，所述第一能选层与第三能选层结构相同，其上设有多个金属结构。本发明通过将三层能量选择表面和两层频率选择表面进行多层级联及阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗、高选择性的通带，并在带外形成了超宽的抑制阻带；而在高功率电磁波入射时，实现了具有较高的屏蔽效能的反射带。此外，该结构在一个极化方向上具有较高的角度稳定性。本发明整体设计结构简单，加工容易，成本低廉，原理清晰，具备广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117117513A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311179388.1
申请日：2023-09-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双极化高选择性宽带带吸频率选择结构。由于传统谐振型吸波透波结构的谐振特性限制，已报道的带吸频率选择结构无法兼顾低插损低频通带、宽吸波带和高选择性三者性能。本发明采用若干层开放式谐振腔堆叠的结构，构造了圆锥台阵列，在低频段实现了高透波率宽通带，相邻高频处实现了宽吸波带。由于开放式圆波导腔体的高Q值谐振特性，极大提升了滤波选择特性，并逼近理想的极限选择性能。本发明设计的带吸频率选择结构性能优良，结构简单，兼具创新性与实用性。
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公开(公告)号：CN112003012A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202011076755.1
申请日：2020-10-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及增益增强型低雷达散射截面空馈阵列天线。目前已报道的带通型吸波性频率选择结构只能缩减天线的单站/双站/多站雷达散射截面，但是无法兼顾天线增益的提升，甚至还会略微降低天线的性能。本发明采用将吸波性频率选择结构覆盖在天线上方的方式，在低频和高频两个宽频带内实现了高隐身特性，同时在工作频带内提升了天线的增益，极大地提升了天线所在的系统的信噪比，提升了天线的性能。该天线增强增益的方式不同于以往的通过不同单元结构补偿不同入射角度的电磁波的相位，充分利用同一单元结构对不同斜入射角度具有不同相移的特性，设计原理清晰，设计结构非常简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108736167B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810282654.6
申请日：2018-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及新型三维宽阻带低通频率选择结构。传统的频率选择结构都设计为带通型频率选择结构，此类结构通带带宽有限，并且很难覆盖低频频段，即使能够做到低频带通，所需要设计出的实物尺寸也非常庞大，不便于使用。本发明采用两层平行板波导堆叠的方式，并将两层平行板波导中间部分设计为阻抗不连续平行板波导，设计出具有低通特性的频率选择结构，并且在其相邻高频处具有非常宽的带阻频段。
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公开(公告)号：CN119994486A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510086776.8
申请日：2025-01-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种宽带带内低RCS的能量选择表面，包括四个中心对称的选择表面部分；每个选择表面部分包括多个周期性分布的选择表面单元；每个选择表面单元包括极化转换层、第一介质层、第一频选层、第二介质层、能选层、第三介质层、第二频选层；极化转换层中加载第一射频开关，所述第一射频开关采用二极管和集总电感并联设置；利用二极管截止与导通的阻抗切换特性，在低功率电磁波入射下产生一个低插入损耗的宽通带，高功率电磁波入射下产生一个覆盖通带频率及高频部分的宽散射带。此外，该结构还具有极化不敏感的特性，同时由于二极管的特性还具有一定的吸波效果。
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公开(公告)号：CN119674553A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411771525.5
申请日：2024-12-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于曲折结构的低通高吸型能量选择表面，包括多个周期性分布的单元，每个单元从上到下依次包括频选层、介质层、能选层，所述频选层包括第一介质基板以及第一介质基板上、下表面的多个金属曲折结构和电阻，所述能选层包括第二介质基板以及第二介质基板上表面的多个金属块结构和二极管，所述频选层和能选层被介质层所隔开。本发明的能量选择表面和频率选择表面通过介质层阻抗匹配，在低功率电磁波入射时，实现了低插入损耗的低频通带，并在带外形成了较宽的吸收频带；而在高功率电磁波入射时，在工作频段实现了具有较高的屏蔽效能的反射频带，并在带外形成了较宽的吸收频带。本发明整体设计结构原理简单清晰，具备广泛的应用前景。
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