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公开(公告)号：CN112877657A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110032642.X
申请日：2021-01-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。
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公开(公告)号：CN112176315A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010834538.8
申请日：2020-08-19
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括：衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN113087012B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911335745.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01G23/053 , C01G23/08 , H01L51/48 , H01L51/46 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池TiO2电子传输层的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。首先使用ALD法制备致密层TiO2，以四二甲氨基钛为钛前驱体源，O3作为氧前驱体源，Ar作为载气和吹扫气体；循环多次完成致密层制备；然后使用旋涂法制备介孔层TiO2，在NaOH溶液中加入TiO2微球，搅拌均匀后加热；洗涤至接近中性，然后在HCl溶液中浸泡，再洗涤至中性，干燥后煅烧；将TiO2粉末和酒精按质量比1:10配置成悬浊液，搅拌后旋涂于TiO2致密层上并保温，得到TiO2介孔层。通过制备工艺控制，使电子传输层有利于光吸收层与电极之间的电子空穴对分离和电子传输，可提高钙钛矿光伏器件的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111334766B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811551786.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电复合薄膜材料及其制备方法。该磁电复合薄膜材料包括依次沉积于硅片上的电极层、AlN薄膜和FeGaB薄膜，FeGaB薄膜的化学式为Fe10‑x‑yGaxBy，其中1.778≤x≤3.0，0＜y≤2.0。其制备方法包括以下步骤：(1)将硅片清洗干净后，在正面沉积电极层薄膜；(2)采用磁控溅射法在电极层薄膜上沉积AlN薄膜；(3)采用磁控溅射共溅法在AlN薄膜上沉积FeGaB薄膜，其中，溅射靶材为Fe1‑zGaz的化学计量比的原料通过熔融铸造合成的FeGa靶，0.23≤z≤0.30，以及纯度为99.99％的B靶。本发明的磁电复合薄膜材料具有优良的磁电性能，高频涡流损耗小，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
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公开(公告)号：CN113087012A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911335745.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01G23/053 , C01G23/08 , H01L51/48 , H01L51/46 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池TiO2电子传输层的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。首先使用ALD法制备致密层TiO2，以四二甲氨基钛为钛前驱体源，O3作为氧前驱体源，Ar作为载气和吹扫气体；循环多次完成致密层制备；然后使用旋涂法制备介孔层TiO2，在NaOH溶液中加入TiO2微球，搅拌均匀后加热；洗涤至接近中性，然后在HCl溶液中浸泡，再洗涤至中性，干燥后煅烧；将TiO2粉末和酒精按质量比1:10配置成悬浊液，搅拌后旋涂于TiO2致密层上并保温，得到TiO2介孔层。通过制备工艺控制，使电子传输层有利于光吸收层与电极之间的电子空穴对分离和电子传输，可提高钙钛矿光伏器件的能量转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635023A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910938037.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电传感器及其制备方法。所述磁电传感器包括磁电复合薄膜，该薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaB磁致伸缩层。所述薄膜的制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGaB薄膜。本发明的磁电传感器是包括FeGaB和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN119774535A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510104206.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81B7/04 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/53 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00 , H01Q15/00 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹生物传感器技术领域，具体涉及一种准BIC太赫兹全介质生物传感器及其制备方法和应用。本发明的生物传感器包括介质层和衬底层，介质层由多个全介质超材料的单元结构周期排列组成阵列，单元结构由非对称的四个圆柱结构组成，四个圆柱结构的圆心对称，其中三个圆柱结构直径相同，另一个圆柱结构直径与其他三个不相同，且直径相差不大，同时限定单元结构的周期与圆柱直径和圆柱间距满足一定条件，以实现较强的电磁场增强效果。本发明通过设计对称性的破缺使超材料结构由连续域束缚态退变为准连续域束缚态，实现器件在太赫兹波段条件下的高Q因子，使得传感器在太赫兹波段内对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果。
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公开(公告)号：CN114395751B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111534071.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种低应力氮化铝薄膜的制备方法。所述方法将靶材和衬底装入磁控溅射设备，调节磁控溅射靶材法线方向与基片台法线方向的夹角X，靶基距为Y，在工作气体气氛下调节气体流量、溅射功率和溅射气压Z，稳定后进行氮化铝薄膜沉积，结束沉积后，降温获得低应力的C轴取向氮化铝薄膜；确保Z＝5.5e(‑Y‑X/2)/43‑0.03，其中，0≤X≤30°；120mm≤Y≤200mm。本发明采用的方法在使溅射粒子保持较高的能量的同时，还使其在基片台能够充分扩散，制备的氮化铝薄膜具有C轴择优取向的同时具备低应力，有利于提高氮化铝器件的可靠性，且操作流程简单，适用于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN111463265A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010290015.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/792 , H01L21/34 , H01L21/443 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110777342A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911004945.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁致伸缩薄膜及其制备方法，所述薄膜是沉积在单面抛光单晶硅基片上的FeGaB非晶薄膜，厚度400-800nm；所述制备方法包括：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法通过共溅射沉积FeGaB薄膜。本发明制备的磁致伸缩薄膜具有软磁性能好、饱和场低、磁致伸缩系数高等优点。本发明可用于制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。
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