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公开(公告)号：CN114921690A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210502932.0
申请日：2022-05-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 北京空间飞行器总体设计部
IPC: C22C21/00 , C22C27/02 , C22C30/00 , B22F1/052 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F3/18 , B22F3/00 , C22C1/04 , B64G1/54
Abstract: 本发明提出一种抗高能电子辐射铝基复合屏蔽材料制备方法，包括以下步骤：(1)将钨粉、钽粉与铝粉按一定配比，使用双锥混料机混合均匀，得到多种复合粉体；(2)将复合粉体进行逐层装填至冷等静压模具中，冷等静压成型，冷等静压压力为50MPa～200MPa，保压时间为10min～40min，得到冷等静压坯锭；(4)将冷等静压坯锭装在铝包套中，使用热等静压烧结或者真空热压烧结的方法成型，得到层状分布的铝基复合屏蔽材料；(5)铝基复合屏蔽材料采用高温双向交替轧制的成型方式，获得抗高能电子辐射铝基复合屏蔽材料成品板材。采用本发明的方法制备的复合材料具有致密度高、增强相分布均匀、综合力学性能好、屏蔽性能好及可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN114833334A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210378429.9
申请日：2022-04-02
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种可连续制备粒径较为均一的微米级球形金粉的方法。所述方法采用能有效降低外界环境对金粒形核干扰的“快速旋转形核法”，将含金母液与还原剂同时导入快速旋转形核反应器中，利用高速旋转切割产生的微纳液滴中迅速完成传质反应，形成巨量均一晶核，然后将晶核导入后置反应器中，继续完成球形金粉晶粒的可控生长，直到获得微米级粒径范围的球形金粉颗粒，再将所得微米级球形金粉沉淀洗涤、烘干，可获得粒径较为均一的球形金粉。采用本发明方法可以连续制备纯度高、分散性好、表面光滑、粒径分布较普通液相还原法更均一、平均粒径D50＝1～3μm的球形金粉。
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公开(公告)号：CN113284814A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110422334.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 有研科技集团有限公司 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L21/607 , B23P15/00
Abstract: 本发明提供了一种深腔焊楔形劈刀，所述劈刀为一体型结构，包括刀柄、刀头，刀柄内部沿中轴线设有直引线孔，直引线孔的入口端呈喇叭口形状；刀头呈楔形状，刀头包括刀头端面、以及自刀头端面斜向贯穿至刀头侧面的斜引线孔，斜引线孔为圆孔或者方孔。还提供了一种上述的深腔焊楔形劈刀的生产方法，采用粉末注射成形工艺实现了铁铬合金、碳化钨、碳化钛或陶瓷材料的带微纳内孔和喇叭口的楔形劈刀棒坯预成型。本发明提供了一种所述楔形劈刀的高精度、高效率、低成本、更清洁的生产方法，突破了硬质材料Φ0.1mm级微纳内孔的加工成形难题，显著降低了硬质材料Φ0.2mm级微纳内孔的加工成本，其键合质量好、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN109920711B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201711336254.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碱金属释放剂所用释放器的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗和烘干镍铬合金管，镍铬合金管的外径为4.0‑7.0mm，璧厚为0.05‑0.10mm；(2)采用混粉装置将高纯碱金属盐和还原剂粉末混合均匀，并将混合后的粉末灌入镍铬合金管；(3)将装粉后的镍铬合金管冷拉拔，拉拔至外径为1.0‑1.5mm、璧厚0.03‑0.06mm，所需道次为8‑40；(4)在惰性气体保护下激光打孔；(5)释放剂主体部分切割；(6)主体部分两端连接端电极；(7)将制备好的释放器真空封装。采用本发明的制备方法可提高碱金属释放剂所用释放器的生产效率，且显著提高释放剂的释放器的性能一致性和稳定性。进而保证了释放剂薄膜在光电阴极表面的厚度一致性，保证了光电阴极性能的一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111800896A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911348283.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H05B3/18
Abstract: 本发明涉及一种高温加热丝的制备方法，特别涉及一种电真空元件的内置型高温加热丝的制备方法，属于电真空元件制造技术领域。先将加热丝材绕制成所需形状，通过高温煅烧进行定型并微调加热丝电阻，提高其冷阻一致性；然后采用电泳技术在加热丝表面覆盖绝缘物质，再通过烧结使绝缘物质牢固附着在加热丝表面。本发明方法制备的高温加热丝冷阻及加热电流一致性好，绝缘层坚固制备方法简易灵活度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910664B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510970978.5
申请日：2015-12-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01J9/39
Abstract: 本发明公开了一种新型电加热型吸气元件，包括金属合金管以及填充在管内的吸气合金材料，其中，所述金属合金管壁上形成有多个微孔，这些微孔排列成点阵网状结构；所述吸气合金材料为未经过烧结的吸气合金材料，吸气合金材料的颗粒直径分布范围大于金属合金管壁的微孔直径。本发明的新型吸气元件由金属合金管和吸气合金组成，吸气合金不用经过烧结直接装配使用，工艺过程简单，易操作；由于没有烧结的吸气合金具有较大的比表面积和孔隙度，吸气性能优良；吸气元件强度高，能够适应苛刻的冲击、振动、摩擦等恶劣环境，且吸气材料选择不受元件整体强度限制，可选择的范围较广，激活温度范围宽；吸气元件一体成型，结构简单，尺寸易调且能精确控制。
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公开(公告)号：CN119020651A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411041852.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三维网状结构的镁基复合屏蔽材料及其制备方法，属于镁基复合屏蔽材料技术领域。三维网状结构的镁基复合屏蔽材料包含30wt％‑60wt％的钨、30wt％‑50wt％的碳化硼和10wt％‑40wt％的镁基体，钨的平均粒径≤10μm，碳化硼的平均粒径≤40μm，镁基体的平均粒径≤80μm，钨或碳化硼与镁基体的平均粒径之比在1:16‑1:2之间，得到的屏蔽组元颗粒呈三维网状分布的镁基复合屏蔽材料，该复合屏蔽材料的密度为2.9g/cm3‑5.0g/cm3。本发明通过粉体颗粒粒径匹配，实现了屏蔽组元颗粒三维网状分布，解决了以往单纯依靠提高复合屏蔽材料中屏蔽组元体积分数而导致的屏蔽组元分散性差、屏蔽性能提升有限的问题，该新型屏蔽材料具有小型化、轻量化、屏蔽性能可灵活调整等特点。
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公开(公告)号：CN118756019A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410888707.4
申请日：2024-07-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C23/00 , C22C32/00 , C22C1/05 , B22F1/14 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F9/04 , B22F1/052 , G21F1/08 , G21C11/00
Abstract: 本发明属于颗粒增强镁基复合材料及核辐射防护技术领域，具体涉及一种中子‑γ射线一体化屏蔽镁基复合材料及其制备方法和应用。本发明公开的中子‑γ射线一体化屏蔽镁基复合材料，将钨元素、硼元素以颗粒增强体的形式添加到镁合金基体中，通过优选粉体颗粒粒径匹配，在实现颗粒增强效果、提高材料强度的同时，保证了材料的致密度和均匀性、大幅提高了材料的屏蔽效果，进而实现对中子、γ射线的一体化屏蔽。并且，本发明所使用镁合金和含钆元素的镁合金，钆元素作为镁合金中提高强塑性的关键元素亦具有极高的热中子吸收截面，可以在兼顾复合材料整体力学性能的同时提高屏蔽性能，进而实现镁基复合屏蔽材料的结构‑功能一体化。
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公开(公告)号：CN116199817B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310450984.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C08F220/18 , H01L21/3213 , C08F220/38 , C08F8/42 , G03F7/004 , G03F7/039
Abstract: 一种含叔丁氧羰基的树脂酸金，化学式如（iii）所示，其是由甲基丙烯酸叔丁酯和2‑甲基‑2‑丙烯酸噻喃基甲基酯的共聚物与四氯金酸铵反应制得；进一步的，按质量份数计，将35~60份上述树脂酸金、1~5份的光产酸剂、0.1~0.5份的增感剂、0.05~0.1份的酸扩散抑制剂和1~4份的有机金属盐溶解在30~60份的有机溶剂中并充分混合均匀得到正性光刻有机金浆料；该有机金浆料经过印刷、流平、前烘、曝光、后烘、显影、干燥、烧结后形成精细的导电线路，可用于高分辨和小型化的集成电路和元器件中。
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公开(公告)号：CN114538457B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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