一种氢扩散路径可视化表征方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117630071A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311550803.X

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 一种氢渗透扩散路径可视化表征方法,包括在待测样品表面涂覆溴化银乳胶并对涂覆后样品进行电化学充氢处理,随后采用场发射扫描电镜对样品表面微观形貌进行表征,Ag颗富集位置即代表氢渗透扩散路径和分布位置;其原理是氢原子与AgBr中的Ag+发生氧化还原反应,在氢到达位置/区域发生Ag颗粒沉淀和富集,通过扫描电镜对表面形貌进行观察,Ag颗粒富集位置即代表氢渗透扩散路径和分布位置;其采用实验的方法对氢在材料中的渗透扩散路径和分布进行表征,实验方法简单易行,在不借助SIMS和PAT等昂贵实验设备的前提下表征氢的分布和扩散,极大的缩减实验成本,为材料中氢的分布和扩散领域提供了新的思路和方法。

    一种深腔焊楔形劈刀
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114883208A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210453333.4

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 本发明公开了属于集成电路封装领域的一种深腔焊楔形劈刀,所述楔形劈刀为焊接结构,包括刀柄、焊缝和刀头,所述刀柄为氧化锆或氧化铝;所述刀头为碳化钨、氮化硅或碳化钛。所述楔形劈刀外形为阶梯结构,包括刀柄台阶、刀头台阶和劈刀尖端;所述楔形劈刀使用类型为垂直使用型,包括垂直引线孔和斜引线孔。本发明选择高性价比刀柄材料,同时采用近净成形和焊环异质连接方法制备劈刀,不仅有利于节约稀有资源、降低劈刀生产成本,同时劈刀使用性能好,适用于高密度、多焊点、深腔多腔的楔形焊键合工艺。

    一种防腐防氢渗透涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN114686810A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011583950.3

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种防腐防氢渗透涂层,该涂层包括依次布设的高熵合金基体、第一高熵合金陶瓷层和第二高熵合金陶瓷层,其中,高熵合金基体为AlCrNbTiZr高熵合金,第一高熵合金陶瓷层和第二高熵合金陶瓷层均为AlCrNbTiZr高熵合金的氮化物、氧化物或氮氧化物。高熵合金陶瓷层采用金属靶射频溅射技术制备,工艺简单。本发明的防腐防氢渗透涂层总厚度为0.1‑5μm,具备优良的防腐和防氢渗透性能,尤其适用于超临界水气化制氢领域。

    一种低应力氮化铝薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114395751A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111534071.6

    申请日:2021-12-15

    Abstract: 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种低应力氮化铝薄膜的制备方法。所述方法将靶材和衬底装入磁控溅射设备,调节磁控溅射靶材法线方向与基片台法线方向的夹角X,靶基距为Y,在工作气体气氛下调节气体流量、溅射功率和溅射气压Z,稳定后进行氮化铝薄膜沉积,结束沉积后,降温获得低应力的C轴取向氮化铝薄膜;确保Z=5.5e(‑Y‑X/2)/43‑0.03,其中,0≤X≤30°;120mm≤Y≤200mm。本发明采用的方法在使溅射粒子保持较高的能量的同时,还使其在基片台能够充分扩散,制备的氮化铝薄膜具有C轴择优取向的同时具备低应力,有利于提高氮化铝器件的可靠性,且操作流程简单,适用于工业大规模生产。

    一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法

    公开(公告)号:CN113588876A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110790818.8

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明公开了属于气体传感器制备技术领域的一种提高二氧化氮半导体传感器选择性的方法,采用光刻及刻蚀工艺在硅基体上刻蚀出微型色谱柱结构,同时在色谱柱两端刻蚀出进气口与出气口,并在出气口处制备半导体传感器加热电极与测试电极,之后在色谱柱上加载固定相,在传感器电极上加载三氧化钨气敏材料,并对色谱柱及传感器进行密封。本发明利用色谱柱分离功能将空气中的二氧化氮与二氧化硫及臭氧等干扰气体分离,提高了传感器对二氧化氮的选择性。同时,将色谱柱微型化并与半导体传感器进行集成,能够显著降低传感器的体积,利于实现传感器的小型化,适用于大气中二氧化氮的便携式精确监测。

    一种三氧化钨气敏薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112557460A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011412747.X

    申请日:2020-12-02

    Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度三氧化钨气敏薄膜的制备方法,涉及气敏薄膜制备技术领域。本发明将带有氧化层的硅基片置于氟化铵、氢氟酸及去离子水的混合溶液中静置一段时间,之后再采用射频掠射角磁控溅射在处理后的硅基片表面沉积三氧化钨薄膜并进行热处理。本发明能够提高在硅基体上沉积的三氧化钨气敏薄膜对二氧化氮的灵敏度,且制备工艺简单,与目前微型气体传感器的制备工艺兼容性高,便于实现硅基集成,适合于工业大规模生产。

    一种石墨烯涂料分散装置及方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111135753A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010065199.1

    申请日:2020-01-20

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯涂料分散装置及方法,属于纳米材料技术领域。该装置包括齿轮箱、主旋转轴、主齿轮、主螺旋叶片、副旋转轴、副齿轮、副螺旋叶片、石墨烯罐、搅拌罐、涂料进料口、出料口、支架、底座以及电机;主旋转轴位于搅拌罐顶部中心位置,主旋转轴下方与主螺旋叶片固接,主旋转轴上方与主齿轮螺接,主旋转轴贯穿齿轮箱,搅拌罐通过支架固定在底座上。该分散装置搅拌速度稳定,大大提高了分散效率,使石墨烯在涂料可达到充分分散,得到的石墨烯改性涂料性能更好;通过压缩空气导入石墨烯,使得在进料过程中对石墨烯进行了预分散,提高了后续效率,可拆卸的石墨烯罐,使其在导入石墨烯后搅拌的过程中减少了空气在涂料内部的残留。

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