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公开(公告)号：CN111893569B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110455419B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4‑8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN110455419A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910608854.0
申请日：2019-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器，包括：底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极；所述底座为凹形，所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起，所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔，所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜，分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构，利用V6O13单晶片与基底的悬空，极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导，提高探测器的信噪比，显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件，实现0.4-8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应，其响应时间达毫秒级，有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
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公开(公告)号：CN115985995A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211531586.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/032 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明具体涉及一种二维钙钛矿掺杂过渡金属硫族化合物同质结光电探测器，涉及光电探测领域，其包括最下层的绝缘衬底层；置于所述绝缘衬底层上的二维钙钛矿纳米片层；置于所述二维钙钛矿纳米片层上的过渡金属硫族化合物纳米片层，作为沟道层，使得部分所述过渡金属硫族化合物纳米片层下方有所述二维钙钛矿纳米片层；以及与所述过渡金属硫族化合物纳米片层两端连接的电极。采用简单的方法构建同质结光电探测器，具有明显整流效果，提高响应速度，用简单的结构实现对二维过渡金属硫族化合物的可控稳定掺杂，推动同质结光电探测器的应用。
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公开(公告)号：CN114420846B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114420846A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210058299.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 广东食品药品职业学院 , 暨南大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
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公开(公告)号：CN111893569A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010668883.9
申请日：2020-07-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，公开了一种形貌良好、结晶性强的VO2晶体及其制备方法与应用。本发明采用一种改良CVD方法制备VO2晶体，具体包括以下步骤：(1)将V2O5粉末溶于水中，得到V2O5前驱溶液，将其加入容器中，干燥，在容器底部得到V2O5前驱物，作为蒸发源；(2)将衬底置于容器上方，然后将衬底和含有V2O5前驱物的容器一同放置于热处理炉中，抽真空，进行热处理，得到形貌良好、结晶性强的VO2晶体。本发明制备方法工艺简单、温度较低、重复性高、原料利用率高，制备得到的VO2晶体具有形貌良好、表面光滑、结晶性强、生长取向好、物相单一等优点，在微电子器件领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109449247B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201811057075.8
申请日：2018-09-11
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，其方法包括以下步骤：步骤a、将氧化钼粉末与氯化亚锡粉末按一定的质量比研磨均匀后置于真空腔的钨舟中，干净的衬底贴于腔体顶部的样品座上；步骤b、将腔体抽真空,直到压强小于5×10‑4Pa后开始蒸镀。缓慢增加电流到50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到10nm后继续增加电流到60A左右，以较快的速率蒸发直到薄膜完成后关闭蒸发电源，自然冷却后取出样品。通过上述方式，本发明利用工艺成熟的热蒸发镀膜技术制备大面积均匀的锡掺杂氧化钼薄膜，制作方式简单，便于产业化。
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公开(公告)号：CN110467159A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN109950321A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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