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公开(公告)号：CN109928427A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540-600℃的大气环境下保持5-20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109928427B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910216725.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G39/02 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/112
Abstract: 本发明涉及一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，该方法包括以下步骤：将生长有氧化钼纳米片的衬底放置于包含亚锡盐的前驱体溶液中加热，得到Sn4+离子插层的氧化钼纳米片；在上述纳米片表面放置锌微米颗粒，滴加金属盐溶液反应，获得Sn4+、金属阳离子共插层的氧化钼纳米片；其中将钼片放置在耐高温衬底表面，在540‑600℃的大气环境下保持5‑20min，然后冷却至室温即可获得生长有氧化钼纳米片的衬底。本发明实现了将Sn4+离子和第二类金属离子共同插层到MoO3的层间，减小其带隙，提高氧化钼的导电性，拓宽了吸收谱带范围，同时在单一材料实现异质结的构建提高光电性能。
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公开(公告)号：CN109809490A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910225427.4
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及一种紫色氧化钨纳米线及其制备方法，该方法包括，将三氧化钨粉末均匀压紧平铺在衬底上，平铺厚度为0.5～3mm；在真空条件下，对所述三氧化钨粉末进行高温加热40～90min，然后自然冷却至室温，即可获得紫色氧化钨纳米线。本发明采用一步法即可获得W18O49纳米线，其工序简单，该方法获得的W18O49纳米线比表面积大，适用于光电器件及电化学器件等，多余的WO3粉末可重复煅烧使用，节约成本。
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公开(公告)号：CN110467159A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109950321A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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公开(公告)号：CN110467159B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910641135.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，该方法包括以下步骤：选取高纯度的具有负电化学势的金属丝，利用电化学刻蚀得到具有一定曲率半径的尖端，配制一定浓度的金属盐溶液并滴在二维材料表面，将刻蚀后的金属丝固定于精度较高的三维控制平台，通过控制平台来移动金属丝，同时借助光学显微镜使金属丝尖端与材料表面接触，插层反应在接触部位开始进行，通过该反应实现了材料的性能优化，包括拓宽响应光谱范围以及实现局部功能化，同时控制金属丝根据设置好的图案在材料表面移动，可以得到定位插层图案，这是现有插层技术所无法达到的。本发明在调控二维材料性质以及在纳米尺度下实现高分辨图案化取得显著效果。
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公开(公告)号：CN109950321B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910225445.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法，采用固态电解质作衬底，在固态电解质衬底上放置掩膜板，预留一器件沟道；然后沉积一层绝缘薄膜；然后取下掩膜板，沉积三氧化钨薄膜；然后重新放置掩膜板，蒸镀源、漏电极；最后在固态电解质背面蒸镀沉积栅电极，形成场效应器件。本发明将三氧化钨作为有源层应用于晶体管，Au作源、漏电极，器件采用真空热蒸镀方法制备，工艺简单，同时将固态电解质作为栅介质，由于电解质极强的长程离子‑电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用，降低了器件制作过程中的对准要求，得到呈现为P型场效应调制作用的晶体管。
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公开(公告)号：CN214825142U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120645346.2
申请日：2021-03-30
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型公开一种光学物理实验器材收纳装置，包括实验箱和箱盖，所述实验箱内部的底端开设有滑槽，滑槽上滑动连接有滑板，滑板用以放置实验器材；实验箱顶部的靠近箱盖一侧开设有第一凹槽，第一凹槽的两侧侧壁之间转动连接有螺纹杆，两块移动板分别设有螺纹孔，且分别通过螺纹孔与两段螺纹连接，两块移动板的一端分别延伸至第一凹槽外与箱盖连接。本实用新型的光学物理实验器材收纳装置，能够对光学物理实验器材进行快速收纳保护，在对实验器进行使用时，只需要打开箱盖就能够使实验器材自动伸出使用，提高了使用过程中的便捷性。
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公开(公告)号：CN216957235U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202220608306.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 暨南大学
IPC: G09B23/10
Abstract: 本实用新型公开了一种物理力学杠杆实验装置，包括安装座、支架、杠杆和移动架，所述支架的一端与安装座的顶面连接，支架的另一端设有水平尺，支架靠近水平尺处设有固定轴，杠杆的中部与固定轴转动连接，杠杆沿长度方向设有刻度，杠杆的底端两侧分别设有限位槽，限位槽内设有多个定位槽，移动架与限位槽滑动连接，定位槽用以对移动架限位。在使用时，通过调节移动架位置或增加了移动架上的砝码数量调节杠杆两侧平衡，在实验前需要观察杠杆上水平尺，判断杠杆是否平衡，在杠杆出现磨损失去平衡时，可以调节一侧螺杆上的配重块，提高对数据实验的精确性，避免装置进行更换，大大降低维护成本。
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