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公开(公告)号：CN114137793A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111309008.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
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公开(公告)号：CN113608300A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110776268.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提出一种具有串扰抑制功能的双色光栅耦合器，包括衬底，以及位于衬底上表面的光栅耦合结构，光栅耦合结构的两侧分别设置有第一传输波导和第二传输波导，第一传输波导和第二传输波导中分别设置有第一布拉格光栅反射器和第二布拉格光栅反射器；其中，光栅耦合结构为周期性光栅结构，用于对入射的双波段光中任意中心波长一和中心波长二进行双色耦合；第一传输波导用于传输中心波长一，第二传输波导用于传输中心波长二。其中第一布拉格光栅反射器和第二布拉格光栅反射器组成非对称DBR结构实现串扰波长抑制及耦合效率提升，第一传输波导和第二传输波导组成非对称传输波导，达到进一步提升双色耦合效率的目的。
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公开(公告)号：CN117331285A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311274239.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种离散化数字掩膜光刻生产任意线宽和任意间距图案的方法，应用于无掩模投影光刻领域，包括：基于液晶空间调制器的灰度与归一化输出强度的线性关系曲线，根据目标光刻图案的线宽及间距要求，基于成像规则迭代优化得到对应的像素化灰度掩膜；通过计算机控制液晶空间调制器加载像素化灰度掩膜，对经半波片调制为水平偏振态的入射匀化光场进行离散化调制，进入偏振分光棱镜反射得到目标光场分布；目标光场分布被投影物镜收集并缩放至光刻胶层，得到符合线宽及间距要求的目标光刻图案。本发明克服了空间光调制器离散像素量化造成的光刻线宽与线条间距只能在单像素大小的基础上成倍缩小，而较难实现高精度可控的任意值线宽与间距的问题。
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公开(公告)号：CN115385378A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211183899.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN113671803A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110930694.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明为克服空间光调制仅对光场的单一信息振幅或者相位进行空间调制，光刻分辨率较低的缺陷，提出一种空间光场振幅及相位复合调制系统、方法及其检测系统，其中空间光场振幅及相位复合调制系统包括振幅型空间光调制器、像元匹配光学系统和相位型空间光调制器，振幅型空间光调制器对输入光场进行像素化振幅调制，再通过像元匹配光学系统对图像光场进行位置调整，使图像光场与所述相位型空间光调制器中的空间像素位置一一对应，再输入所述相位型空间光调制器中，相位型空间光调制器对输入的经过振幅调制的图像光场中对应像素进行相位调制，输出光场为相位、振幅独立调制的图案化光场，实现空间光场振幅和相位信息像素化、多自由度、独立的调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113495435A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110580510.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型；建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数F；给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案Z。
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公开(公告)号：CN112946906A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110326319.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明提出一种用于DMD投影光刻的空间光强度匀化系统，为解决现有DMD投影光刻系统中目标面处的光场均匀性差、能量利用率低的问题。该系统包括由前自由曲面和后自由曲面集成在一个透镜上的结构；其设计方法包括以下步骤：建立空间坐标系；对前自由曲面和目标面进行划分，根据能量映射关系建立矢量坐标对应关系；对前自由曲面采用斯涅耳定律进行迭代求解，得到前自由曲面上所有点的坐标；将前自由曲面母线的所有出射单位向量作为后自由曲面的入射向量，结合斯涅耳定律和等光程边界条件进行迭代求解，得到后自由曲面的所有点的坐标；根据前后自由曲面的所有点坐标构建双自由曲面的截面结构，得到能够实现目标面处空间光强度匀化的系统。
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公开(公告)号：CN112764320A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011488606.6
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统，包括激光器、空间光调制器、位相调制器、透镜组、物镜、衬底、位移台和上位机，其中衬底上表面涂覆设置有光刻胶，衬底放置在位移台上；上位机分别与空间光调制器、位相调制器和位移台连接；上位机中预设有空间振幅分布设计，并根据预设的空间振幅分布设计控制空间光调制器中产生目标多焦点阵列分布光束；上位机中预设有三维空间扫描轨迹，上位机根据其预设的三维空间扫描轨迹控制位移台的移动，使多焦点阵列分布光束对光刻胶进行扫描曝光，得到密集排列的纳米结构。本发明还提出了一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光方法。
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公开(公告)号：CN112596347A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011488602.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。
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公开(公告)号：CN115385378B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211183899.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 暨南大学
IPC: C01G41/00
Abstract: 本发明属于同质结二维材料技术领域，具体涉及一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用。该二维硫化钨同质结采用化学气相沉积法，通过调控升温速度和流速大小来控制成核的生长，进而实现了不同扭转角度的二维硫化钨同质结的形成，所得同质结的拉曼峰位有明显偏移现象，其表面洁净、无损、尺寸大、质量高；且本发明的制备方法简单、一步合成、操作简便，为研究扭转二维材料特性及其光电子器件应用等领域提供了材料基础。
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