公开(公告)号：CN112764320A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011488606.6

申请日：2020-12-16

Applicant: 暨南大学

Inventor： 赵圆圆 ,  段宣明 ,  董贤子 ,  郑美玲

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提出一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统，包括激光器、空间光调制器、位相调制器、透镜组、物镜、衬底、位移台和上位机，其中衬底上表面涂覆设置有光刻胶，衬底放置在位移台上；上位机分别与空间光调制器、位相调制器和位移台连接；上位机中预设有空间振幅分布设计，并根据预设的空间振幅分布设计控制空间光调制器中产生目标多焦点阵列分布光束；上位机中预设有三维空间扫描轨迹，上位机根据其预设的三维空间扫描轨迹控制位移台的移动，使多焦点阵列分布光束对光刻胶进行扫描曝光，得到密集排列的纳米结构。本发明还提出了一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光方法。

公开(公告)号：CN112596348A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011488603.2

申请日：2020-12-16

Applicant: 暨南大学

Inventor： 赵圆圆 ,  段宣明 ,  董贤子 ,  郑美玲

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于相位调制提高投影光刻分辨率的系统及方法，根据不同的光刻图案，在DMD芯片生成数字掩膜图案前可直接对平行光束进行调制，通过上位机加载编程的像素化相位参数信息，而无需改变投影成像系统；另外，由于DMD生成的数字掩模图案可编程，通过上位机进行控制，可改变传统成像系统中DMD芯片所产生数字掩模图案的相位参数，在相邻像元引入π或π奇数倍的相位差，使得相邻面元投影光产生干涉相消，减小光场分布中暗区光强、增大亮区光场，从而提高成像对比度，既显著提高了投影光刻分辨率，又无需考虑DMD芯片微镜面元上无法沉积移相介质层的问题。