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公开(公告)号：CN112596347B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011488602.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。
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公开(公告)号：CN113495435B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110580510.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型；建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数F；给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案Z。
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公开(公告)号：CN114137793A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111309008.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
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公开(公告)号：CN114137793B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111309008.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F1/00 , G03F1/36 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117331285B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311274239.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种离散化数字掩模光刻生产任意线宽和任意间距图案的方法，应用于无掩模投影光刻领域，包括：基于液晶空间光调制器的灰度与归一化输出强度的线性关系曲线，根据目标光刻图案的线宽及间距要求，基于成像规则迭代优化得到对应的像素化灰度掩模；通过计算机控制液晶空间光调制器加载像素化灰度掩模，对经半波片调制为水平偏振态的入射匀化光场进行离散化调制，进入偏振分光棱镜反射得到目标光场分布；目标光场分布被投影物镜收集并缩放至光刻胶层，得到符合线宽及间距要求的目标光刻图案。本发明克服了空间光调制器离散像素量化造成的光刻线宽与线条间距只能在单像素大小的基础上成倍缩小，而较难实现高精度可控的任意值线宽与间距的问题。
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公开(公告)号：CN117331285A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311274239.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种离散化数字掩膜光刻生产任意线宽和任意间距图案的方法，应用于无掩模投影光刻领域，包括：基于液晶空间调制器的灰度与归一化输出强度的线性关系曲线，根据目标光刻图案的线宽及间距要求，基于成像规则迭代优化得到对应的像素化灰度掩膜；通过计算机控制液晶空间调制器加载像素化灰度掩膜，对经半波片调制为水平偏振态的入射匀化光场进行离散化调制，进入偏振分光棱镜反射得到目标光场分布；目标光场分布被投影物镜收集并缩放至光刻胶层，得到符合线宽及间距要求的目标光刻图案。本发明克服了空间光调制器离散像素量化造成的光刻线宽与线条间距只能在单像素大小的基础上成倍缩小，而较难实现高精度可控的任意值线宽与间距的问题。
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公开(公告)号：CN113671803A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110930694.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明为克服空间光调制仅对光场的单一信息振幅或者相位进行空间调制，光刻分辨率较低的缺陷，提出一种空间光场振幅及相位复合调制系统、方法及其检测系统，其中空间光场振幅及相位复合调制系统包括振幅型空间光调制器、像元匹配光学系统和相位型空间光调制器，振幅型空间光调制器对输入光场进行像素化振幅调制，再通过像元匹配光学系统对图像光场进行位置调整，使图像光场与所述相位型空间光调制器中的空间像素位置一一对应，再输入所述相位型空间光调制器中，相位型空间光调制器对输入的经过振幅调制的图像光场中对应像素进行相位调制，输出光场为相位、振幅独立调制的图案化光场，实现空间光场振幅和相位信息像素化、多自由度、独立的调制。
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公开(公告)号：CN113495435A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110580510.0
申请日：2021-05-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明为解决数字掩模投影光刻存在实际光刻图形偏离目标设计图形、光刻分辨率难以提高的问题，提出一种数字掩模投影光刻优化方法及系统，其方法包括以下步骤：建立以数字掩模的复振幅分布的矩阵表达式，构建数字掩模投影光刻成像模型；建立以数字掩膜为变量的关于图形保真度的代价函数F；给定二元的目标图形并对所述数字掩模投影光刻成像模型进行数字掩模反演计算，基于所述代价函数F计算对于数字掩模的梯度，对所述数字掩模投影光刻成像模型进行优化，在迭代一定次数或者满足一定条件之后停止迭代，得到数字掩模M；将所述数字掩模M加载在空间光调制器上，得到与目标图形差距最小的光刻图案Z。
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公开(公告)号：CN112596347A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011488602.8
申请日：2020-12-16
Applicant: 暨南大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。
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