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公开(公告)号：CN106467960A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610873939.8
申请日：2016-09-30
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1208 , B22F3/14 , B22F2003/145 , B22F2999/00 , C23C14/35 , B22F2202/05
Abstract: 一种强磁场热压制备金属靶材的装置及方法，属于粉末冶金技术领域。其制备装置，包括压头、模具、上下移动压杆、超导磁体、加热器、冷却水管道和支座；采用上述装置，制备方法包括如下步骤：(1)备料：称量金属粉；(2)装填；(3)磁场热压：磁场强度为0.5～6T；温度为200～1600℃，压力为10～80MPa，热压20～200min，空冷至室温，制得金属靶材；(4)机械加工：将金属靶材进行机械加工，制得表面光滑、平整的金属靶材。本方法将强磁场取向引入到热压工艺制备金属靶材工艺中，利用热压获得高密度；利用强磁场使金属粉的易磁化轴，朝磁场方向转动，从而获得具有良好取向。通过热压和强磁场的复合效应获得具有高密度、强织构的高质量磁控溅射靶材。
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公开(公告)号：CN104900891A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510229047.X
申请日：2015-05-07
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: H01M4/925 , H01M4/8875
Abstract: 本发明公开了一种铂网担载氧化铂电极材料及其制备方法，所述铂网担载氧化铂电极材料的结构包括基底铂网(1)和PtO2活性层(2)。所述基底铂网(1)铂网目数为60～80目，丝直径0.09mm～0.12mm，纯度≥99.9％；PtO2活性层(2)中PtO2颗粒的粒径范围在300nm～2000nm，PtO2活性层厚度在0.01mm～0.05mm之间，Pt含量≥80.00％。具体制备步骤如下：首先对基底铂网进行离子束溅射清洗；其次取亚微米的PtO2粉末和导电高分子有机载体，按比例混合、研磨制备得到PtO2浆料；再次采用丝网印刷的方法将PtO2浆料附着于铂网上；最后对担载PtO2浆料的铂网进行热处理。本发明通的方法不仅简便、易操作，而且能保证PtO2电极具备催化活性高、耐蚀性强、寿命长等优点，为原电池催化剂改性方法及电极制备技术提供新的方向，推进原电池的商业化进程。
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公开(公告)号：CN102703870B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210141181.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，………………………..式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。
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公开(公告)号：CN102605332A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210080721.9
申请日：2012-03-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种高纯Ru溅射靶及其制备方法，所述钌溅射靶的致密度在99％以上，平均晶粒尺寸为2～10μm。具体制备方法包括如下步骤：(1)粉末预处理；(2)粉末装填；(3)粉末烧结：将装有高纯钌粉的模具送入真空热压烧结炉中进行双向真空热压烧结，真空度为10-2～10-4Pa，烧结温度为1100～1800℃，烧结压力为30～60MPa。本发明通过双向真空热压烧结的工艺，制备出了致密度在99％以上，平均晶粒为2～10μm的钌溅射靶，边缘与心部组织结构均匀，使用该靶材进行磁控溅射，减少了溅射过程的异常放电现象，提高了溅射速率和膜厚分布的均匀性；同时，使用双向压制的方法可以实现一炉多块同时压制，而且压制出靶材的组织均匀性等相关性能与热等静压的性能相当，提高了生产效率，节约了生产成本，降低了能耗。
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公开(公告)号：CN101869725A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010209318.2
申请日：2010-06-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含有纳米Ag粒子的抗菌型生物活性复合涂层及制备方法。本制备方法首先采取磁控共溅射技术在Ti或Ti合金基材上制备一层Ag/Ti复合涂层，随后采用H2O2或NaOH溶液对基材进行化学处理，最后对基材进行热处理获得多孔复合涂层。涂层表面为Ag和锐钛矿型TiO2或金红石型TiO2或Na2Ti5O11，纳米Ag粒子均匀分布于多孔生物活性层中，涂层厚度为5～42μm，Ag粒子的平均尺寸为8～50nm。还可通过工艺参数调整对纳米Ag粒子尺寸及涂层厚度进行有效调控。本发明获得的复合涂层中纳米Ag与生物活性层结合良好，同时复合涂层与Ti或Ti合金基材结合牢固。本涂层显示出良好的抗菌性，在近体液环境下可诱导羟基磷灰石的形成，可直接用作生物医用Ti或Ti合金的功能性表层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101638758A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910094860.5
申请日：2009-08-21
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: C22C49/14 , C22C47/00 , C22F1/14 , C22C111/00
Abstract: 本发明公开了一种具有高强度高电导率和低Cu含量的Ag-Cu合金原位纤维复合材料及其制备技术。该复合材料的Cu含量≤质量分数20％，利用Ag-Cu合金共晶组织，采用大变形和合理的热处理工艺，形成原位纤维复合材料。其制备技术包括如下步骤：真空熔炼后于保护气氛浇铸Ag-Cu合金，经热挤压和时效预备热处理，并经大变形冷加工、中间热处理、稳定化热处理，制成以微米、亚微米或纳米级尺寸的Cu纤维增强的Ag-Cu复合材料。通过优化制备过程中各种工艺参数，可获得其抗拉强度与导电率性能的优化组合的复合材料，其最高性能可达到：极限抗拉强度UTS≥1GPa；相对导电率≥60％IACS。本发明Ag-Cu原位复合材料可用作高强度和高电导率的导体材料。
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公开(公告)号：CN104561913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , C23C14/3414
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10-1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN104458370A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410674371.8
申请日：2014-11-23
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种辉光放电质谱仪分析试样的制备方法，其包括如下步骤：a)将需要分析的难熔金属粉末放置于内部涂有脱模剂的石墨模具中；b)使用加压烧结的方法对粉末进行成型；c)对成型的坯料进行车削。使用本发明的分析方法：在尽可能保持本身杂质含量的同时，具有较高的致密度，同时表面洁净，从而保证辉光放电质谱分析结果的准确性和精确度，同时本制备方法制备的样品还有分析速度快，效率高的优点。
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公开(公告)号：CN1617274A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410079601.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明是银基电接触复合材料，由轴向相互平行的复合丝的外圆柱面相互贴合而成，单根复合丝的重量百分比成分为：Ni10～20、Cu20～40、余量Ag，复合丝在其轴向横截面上呈圆形，横截面由Cu、Ag、Ni同心圆环相互贴合构成，复合丝在平行于其轴向的柱面上连续分布有与横截面同直径圆环层金属相同的金属。本发明银基电接触复合材料在交流220V、15A和直流24V、15A条件下用做触点，具有接触电阻低、抗拉强度高和塑性较高的特点。
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公开(公告)号：CN104561913B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10‑1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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