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公开(公告)号：CN105970069A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610322122.1
申请日：2016-05-16
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: C22C30/02
CPC classification number: C22C30/02
Abstract: 本发明涉及新型多主元等摩尔比贵金属高熵合金，其组成和含量为Au、Pt、Pd、Rh、Ni和Cu各元素按照等摩尔比16.7±0.1mol％组成，换算为质量比：Au～27.2±0.2wt％，Cu～8.8±0.2wt％，Ni～8.1±0.2wt％，Pt～27.0±0.2wt％，Pd～14.7±0.2wt％，Rh～14.2±0.2wt％，形成简单固溶体结构的高熵合金。该合金的发明将高熵合金与贵金属多元合金相结合，完善了高熵合金体系，开拓了贵金属多元合金的设计思路和应用领域，为从一个崭新的角度挖掘贵金属合金系统中的理论问题和运用价值奠定了基础。
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公开(公告)号：CN103695693A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310681429.7
申请日：2013-12-13
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种金基合金电接触材料的制备方法，涉及使用二次时效的工艺对电接触材料金基六元合金进行处理，以获得具有较高综合性能产品。通过熔铸，均匀化热处理，冷变形，高温短时间一次时效和低温长时间二次时效处理后，合金的电学性能和力学性能达到了良好的匹配，综合性能优于使用传统工艺处理后的产品，使合金的性能得到进一步的提高。
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公开(公告)号：CN102703870A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141181.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，…式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119082518A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411233324.X
申请日：2024-09-04
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 昆明贵研新材料科技有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种难熔高熵合金及其制备方法，属于高熵合金技术领域。本发明制备方法包括(1)预处理：去除金属Al、Cr、Ta和Ti表面氧化层，并使用无水乙醇对金属进行超声清洗，之后对金属进行烘干，再进行酸洗，然后再使用清水对金属进行超声清洗，最后使用无水乙醇进行清洗，烘干后得到洁净金属Al、Cr、Ta、Ti；(2)真空电弧熔炼：按照难熔高熵合金元素摩尔比称量Al、Cr、Ta、Ti，从下到上依次将Al、Cr、Ta、Ti放入水冷铜模坩埚内，对Al、Cr、Ta、Ti进行真空电弧熔炼，得到合金铸锭；通过制备方法制备得到AlxCrTaTi难熔高熵合金，在减少元素组成的基础上，获得Laves相可控并且综合力学性能较好的合金，提升难熔高熵合金使用性能，扩展其适用场景。
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公开(公告)号：CN102922231A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210411249.2
申请日：2012-10-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种钌及钌合金靶材的加工方法，包括：提供钌及钌合金靶材坯料；对所述的钌及钌合金靶材坯料进行车削，所述车削采用HRC大于70的刀具，所述车削时加工的转速为50-200转/分钟，所述车削时的进刀量为0.1-0.5mm；对车削后的钌及钌合金靶材进行磨削，所述磨削时的进刀量0.005-0.02mm，所述磨削加工时砂轮的线速度为20-45米/秒；对磨削后的靶材进行超声清洗。本发明提供的钌及钌合金靶材的加工方法，减少了崩边、掉块等现象的发生，减少了应力层、避免了微裂纹的产生，使靶材的表面粗糙度较低，同时具有较高的加工效率。
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公开(公告)号：CN101058858A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710065907.6
申请日：2007-05-24
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明的目的在于制备氧化物颗粒尺度介于亚微米级的弥散强化铂基材料，包括铂基合金材料的熔炼、内氧化，氧化物颗粒弥散强化铂基复合材料的大塑性变形成型加工等技术。其中大塑性变形技术具有强烈的晶粒细化能力，可以直接将材料的内部组织细化导亚微米乃至纳米及级，是目前制备块体纳米和超细晶材料的最有前途的方法之一。大塑性变形加工包括大挤压比的热挤压加工或大变形量的轧制加工，本方法适用于制造颗粒尺度小于1μm的氧化锆弥散强化的铂、铂铑、铂金等材料。该复合材料包含尽可能少的未氧化非贵金属，具有良好的常温塑性变形能力，具有高于同成分合金材料的抗高温蠕变性能力。
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公开(公告)号：CN1275269C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410079601.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明是银基电接触复合材料，由轴向相互平行的复合丝的外圆柱面相互贴合而成，单根复合丝的重量百分比成分为：Ni10～20、Cu20～40、余量Ag，复合丝在其轴向横截面上呈圆形，横截面由Cu、Ag、Ni同心圆环相互贴合构成，复合丝在平行于其轴向的柱面上连续分布有与横截面同直径圆环层金属相同的金属。本发明银基电接触复合材料在交流220V、15A和直流24V、15A条件下用做触点，具有接触电阻低、抗拉强度高和塑性较高的特点。
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公开(公告)号：CN202539571U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201220114986.1
申请日：2012-03-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: B22F3/16
Abstract: 本实用新型公开了一种粉末冶金用粉末装填装置，包括工作台，旋转装置，升降装置和刮片装置，所述旋转装置设置于工作台上，粉末烧结用的模具置于旋转装置上方，所述升降装置控制粉末装填的高度，所述刮片装置将粉末刮平。本实用新型结构简单，可大幅度提高粉末装填的效率和装填的均匀性，而且提高了压制烧结成型制品的平行度和致密度的均匀性，从而提高了生产效率，降低了后续机加工损耗和节约了生产成本。
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