公开(公告)号：CN104103309A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410145612.X

申请日：2014-04-11

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 张育铭 ,  李永骏 ,  卢星辰 ,  李祥邦 ,  王成渊 ,  张原豪 ,  郭大维

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 本发明公开了一种NAND阵列的操作方法及计算机可读取的非暂时性储存媒体，是说明支持非易失性存储器的减少编程干扰的技术。一种三维/二维NAND阵列包括多个分页，其分为多个分页组。允许存取在三维NAND阵列的一擦除区块中的多个分页组的一第一分页组之内的存储单元，但使存取在三维/二维NAND阵列的擦除区块中的多个分页组的一第二分页组之内的存储单元的存取最少化。相同分页组中的分页在三维/二维NAND阵列中彼此不相邻。

公开(公告)号：CN103455429A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210579100.5

申请日：2012-12-27

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 方柏超 ,  王成渊 ,  李祥邦 ,  陈纪豪 ,  修丕承 ,  郭大维

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/1009 ,  G06F2212/7211

Abstract: 本发明公开了一种对存储器进行群组式耗损平均的方法及设备。该群组式耗损平均方法用于包括多个页面的存储器，包括依据多个使用次数指派使用中的页面给多个使用中的群组；该多个使用中的群组包括最低使用次数范围的低度使用中的群组，以及最高使用次数范围的高度使用中的群组；此方法包括依据多个使用次数，指派多个空页面给多个空群组；该多个空群组包括最低使用次数范围的低空群组，以及最高使用次数范围的高空群组；此方法维持多个使用中的页面的多个使用次数；对于一目前使用中的页面的一触发事件上，该方法决定一目前使用中的页面的使用次数是否超过一热交换阈值，如果是，则将目前使用中的页面中的数据移动至低空群组中的一最前页面。

公开(公告)号：CN103378073A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210106115.X

申请日：2012-04-12

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 陈士弘 ,  谢光宇 ,  王成渊

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括对组的第一芯片和第二芯片；第一芯片包括相互平行设置的N条第一导线、M条第二导线于第一导线上方、N条第三导线垂直于第二导线上方并与第一导线平行、N个第一通孔分别连接第一导线、M组第二通孔分别连接第二导线、和N组第三通孔分别连接第三导线。其中，第二导线和第一导线形成一重叠区域；第三导线和N组第三通孔都至少分成两部份，分别位于重叠区域中一对角方向的第一区域和第三区域；M组第二通孔亦分成两部份，分别位于另一对角方向的第二区域和第四区域。

公开(公告)号：CN101923516A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010180645.X

申请日：2010-05-14

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 李祥邦 ,  董崇杰 ,  王成渊

IPC: G06F12/06

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7207

Abstract: 本发明公开了一种以区块为基础快闪存储装置及其操作方法，所描述的以区块为基础快闪存储装置的数据管理技术可以避免在每次更新储存于此快闪存储装置中的数据时就必须进行区块擦除操作。其结果是，可以在需要一区段擦除操作之前进行较大数目的写入操作。此外，此以区块为基础的快闪存储装置，可以同时仿真如同电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)所提供的一字节接着一字节的方式进行数据读写。