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    氟树脂膜
    11.
    发明公开
    氟树脂膜 有权

    公开(公告)号：CN102066483A

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：CN200980123401.3

    申请日：2009-06-10

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 片山肇 ,  有贺广志

    IPC: C08L27/12 ,  B32B27/30 ,  C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  C08K9/06

    CPC classification number: A01G9/1438 ,  C01P2004/84 ,  C08J7/047 ,  C08J2327/12 ,  C09C1/043 ,  C09C3/12 ,  Y02A40/252 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/2995 ,  Y10T428/3154

    Abstract: 本发明提供涂膜材料不受限制、可长期抑制紫外线造成的涂膜和氟树脂膜主体的劣化、氟树脂膜主体的透明度高的氟树脂膜。氟树脂膜10包括含有疏水化氧化硅被覆的金属氧化物粒子及氟树脂的氟树脂膜主体12和形成于氟树脂膜主体12的一面的、由含树脂的印刷油墨形成的印刷层14(涂膜)，该疏水化氧化硅被覆的金属氧化物粒子通过包括下述工序(a)～(d)的制造方法制得，(a)在金属氧化物粒子的分散液中加入氧化硅前体，获得氧化硅被覆的金属氧化物粒子的分散液的工序，(b)在该分散液中加入R14-nSi(OR2)n或R33Si-NH-SiR33(R1：碳数1～9的烷基，R2、R3：烷基，n：1～3)及氧化硅前体进行一次疏水化处理的工序，(c)再加入硅烷醇保护剂进行二次疏水化处理的工序，以及(d)干燥分散液的工序。

    半导体树脂模塑用脱模膜
    12.
    发明授权
    半导体树脂模塑用脱模膜 有权

    公开(公告)号：CN101506961B

    公开(公告)日：2011-01-05

    申请号：CN200780030645.8

    申请日：2007-07-30

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 奥屋珠生 ,  有贺广志 ,  樋口义明

    IPC: H01L21/56 ,  B29C33/68

    CPC classification number: B29C33/68 ,  H01L21/566 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供气体透过性低、由模塑树脂导致的模具污染少、具有高脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。该脱模膜是一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，塑料支持层(II)较好的是由乙烯/乙烯醇共聚物形成。

    半导体树脂模塑用脱模膜
    14.
    发明公开
    半导体树脂模塑用脱模膜 有权

    公开(公告)号：CN101506961A

    公开(公告)日：2009-08-12

    申请号：CN200780030645.8

    申请日：2007-07-30

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 奥屋珠生 ,  有贺广志 ,  樋口义明

    IPC: H01L21/56 ,  B29C33/68

    CPC classification number: B29C33/68 ,  H01L21/566 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供气体透过性低、由模塑树脂导致的模具污染少、具有高脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。该脱模膜是一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10－15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，塑料支持层(II)较好的是由乙烯/乙烯醇共聚物形成。

    半导体树脂模塑用脱模膜
    15.
    发明公开
    半导体树脂模塑用脱模膜 失效

    公开(公告)号：CN101427358A

    公开(公告)日：2009-05-06

    申请号：CN200780014091.2

    申请日：2007-04-20

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 奥屋珠生 ,  有贺广志 ,  樋口义明

    IPC: H01L21/56 ,  B29C33/68

    CPC classification number: B29C33/68 ,  H01L21/566 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31692 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供气体透过性显著较低，由模塑树脂导致的模具污染非常少，具有高脱模性的脱模膜。它是气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，具有脱模性优良的脱模层(I)、支持该脱模层的塑料支持层(II)和由金属或金属氧化物构成的气体透过抑制层(III)，该气体透过抑制层(III)形成于该脱模层和支持层之间，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为10－15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，此外作为金属氧化物层，较好的是氧化铝、氧化硅或氧化镁等的氧化物层。

    脱模膜、脱模性缓冲材料及印刷基板的制造方法
    16.
    发明公开
    脱模膜、脱模性缓冲材料及印刷基板的制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101415546A

    公开(公告)日：2009-04-22

    申请号：CN200780012033.6

    申请日：2007-03-28

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 奥屋珠生 ,  有贺广志 ,  山内优

    IPC: B32B9/00 ,  H05K3/28

    CPC classification number: H05K3/281 ,  B30B15/061 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31663

    Abstract: 本发明提供热压时不需要频繁地更换且更换容易的脱模膜、可以抑制缓冲材料主体的更换频率的脱模性缓冲材料以及可以生产性好且低成本地制造印刷基板的印刷基板的制造方法。作为设于由硅橡胶形成的缓冲材料的表面的脱模膜10，在由含氟树脂形成的基材12的一面具有含Si的层14的脱模膜10；在由硅橡胶形成的缓冲材料的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式设有脱模膜的脱模性缓冲材料；将印刷基板主体和覆盖膜的层叠物以加压板夹住进行热压时，在缓冲材料的覆盖膜侧的表面以含Si的层位于缓冲材料侧的方式配置有脱模膜的印刷基板的制造方法。

    膜和吸音结构体
    18.
    发明公开
    膜和吸音结构体 有权

    公开(公告)号：CN107615374A

    公开(公告)日：2018-01-19

    申请号：CN201680033683.8

    申请日：2016-06-02

    Applicant: 旭硝子株式会社

    Inventor： 有贺广志

    IPC: G10K11/16 ,  B29D7/00 ,  E04B1/82 ,  G10K11/162

    Abstract: 本发明提供可用作具有优良的吸音特性的轻量的吸音膜的膜、以及具备该膜的吸音结构体。膜1，它是设置有微小的多个贯通孔2的膜1，膜1的厚度中以t(μm)表示未设置贯通孔2的位置的平均厚度、以T(μm)表示包含贯通孔2的周缘的飞边的所述多个贯通孔2的平均深度、以d(μm)表示所述多个贯通孔2的平均孔径、以y(％)表示膜1的每单位面积的开孔率时，满足90≦t≦300、1.02

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