公开(公告)号：CN105849929A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071371.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构 ,  国立大学法人东京工业大学 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 细野秀雄 ,  户田喜丈 ,  渡边俊成 ,  宫川直通 ,  伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  光井彰 ,  大越雄斗

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/5072 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/4273 ,  H01L51/44 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/5353 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。

公开(公告)号：CN105283579A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033195.8

申请日：2014-06-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤和弘 ,  渡边晓 ,  宫川直通 ,  渡边俊成 ,  光井彰

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/44

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm-3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。

公开(公告)号：CN101460651B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780020719.X

申请日：2007-06-08

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 小高秀文 ,  光井彰 ,  中釜晋

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/457 ,  G02F1/1343 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  G02F1/13439

Abstract: 本发明提供适合于通过DC溅射法、DC脉冲溅射法和AC溅射法形成透明导电膜的氧化锡类靶材。所述溅射靶材是用溅射法形成透明导电膜时所使用的溅射靶材，其特征在于，以氧化锡为主要成分，包含选自A掺杂剂组的至少一种元素以及选自B掺杂剂组的至少一种元素作为掺杂剂，A掺杂剂组包括锌、铌、钛、镁、铝和锆，B掺杂剂组包括钨、钽和钼。

公开(公告)号：CN100555005C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200680019582.1

申请日：2006-05-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 猪熊久夫 ,  樋口俊彦 ,  光井彰

IPC: G02B5/02 ,  B32B7/02 ,  G03B21/62

CPC classification number: G03B21/62 ,  C03C17/3405 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0268 ,  G02B5/0278 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/25

Abstract: 提供PTV用透射型屏幕，特别是可用于搭载MD等光学引擎的高清晰PTV且可应对大型化的高刚性的透射型屏幕和其中所用的扩散板。上述光扩散板是包含基板和形成于基板的光扩散层的光扩散板，其特征在于，光扩散层至少由2层构成，该2层为第1光扩散层和第2光扩散层，该第1光扩散层包含第1基料及与第1基料的折射率差Δn1为0.04≤Δn1≤0.2的第1光扩散材料，该第2光扩散层包含第2基料及与第2基料的折射率差Δn2为0.005≤Δn2＜0.04的第2光扩散材料，第1光扩散层中的第1光扩散材料的体积率不足40%，第2光扩散层中的第2光扩散材料的体积率为40%以上，光扩散层的总层厚以固化后的层厚计为5～200μm。

公开(公告)号：CN1705766A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200380101764.X

申请日：2003-10-22

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 山田朋广 ,  志堂寺容治 ,  光井彰 ,  尾山卓司 ,  神山敏久

IPC: C23C14/08 ,  G02B5/28

CPC classification number: G02B1/10 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/42 ,  G02B1/116 ,  G02B1/16 ,  G02B5/285

Abstract: 采用导电性溅射材料并通过溅射法在基板上高速成膜由金属氧化物膜和二氧化硅膜构成的多层膜，提供松弛了膜应力的带多层膜的基板和制造上述低应力的带多层膜的基板的方法。它是在基板上1次或1次以上重复层叠至少金属氧化物膜和二氧化硅膜而形成的带多层膜的基板，其特征在于，该金属氧化物膜的至少一层是如下消除氧不足的金属氧化物膜，并且该多层膜的应力为－100Mpa—+100MPa：采用比化学计量组分更缺氧的金属氧化物MOx作为靶材，进行溅射成膜所形成。

公开(公告)号：CN1171241C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN00803600.4

申请日：2000-02-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 藤野正美 ,  佐藤一夫 ,  光井彰 ,  竹田谕司 ,  堀江则俊

IPC: H01B1/06 ,  H01B5/14 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01B1/06 ,  C23C14/0641

Abstract: 含Ti和/或Zr及选自Al、Si、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au和Pt的一种以上金属、耐热性好的导电性氮化物膜及其制备方法，以及用该导电性氮化物膜的防反射体。