公开(公告)号：CN101950790B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201010224767.4

申请日：2010-07-07

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  末永和史 ,  野本明

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27

CPC classification number: H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。

公开(公告)号：CN102823007B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201080065779.5

申请日：2010-12-21

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/39 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C23C14/088 ,  C30B23/02 ,  C30B29/30 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/171

Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。