公开(公告)号：CN103325937A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310076574.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 渡边和俊 ,  柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/27 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L41/18 ,  G01B11/0625 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29 ,  H01L41/316 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供压电体膜的膜厚值可靠性高的带压电体膜的基板、压电体膜元件及其制造方法。所述带压电体膜的基板顺次层叠有在主面上形成的下电极和在下电极上形成的钙钛矿结构的压电体膜；压电体膜的厚度为0.3μm以上10μm以下；在表示反射率和波长关系的反射光谱，即压电体膜的中心部和外周部的各至少1点的反射光谱中，极大值和极小值分别具有至少1个，并且极大值中至少1个的反射率为0.4以上，所述反射率由对压电体膜的表面照射的波长400nm～800nm范围的照射光在压电体膜的表面反射的光与照射光透过压电体膜在下电极的表面反射的光通过干涉而得的反射光算出。

公开(公告)号：CN102804436A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013990.7

申请日：2011-03-24

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  渡边和俊 ,  野本明 ,  堀切文正

IPC: H01L41/18 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24

CPC classification number: C23C14/025 ,  C23C14/088 ,  C23C14/35 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。

公开(公告)号：CN102754232A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009228.1

申请日：2011-02-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  渡边和俊 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。

公开(公告)号：CN102097582A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010556495.8

申请日：2010-11-18

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田宪治 ,  末永和史 ,  野本明 ,  渡边和俊

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/08 ,  C04B35/495

CPC classification number: H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/094 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/29

Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜元件及压电薄膜装置。该压电薄膜元件为在基板上具有以组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜的压电薄膜元件，用(K1-xNax)yNbO3表示的上述压电薄膜的组成比x、y处于0.4≤x≤0.7且0.7≤y≤0.94的范围内。

公开(公告)号：CN101931046B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010208804.2

申请日：2010-06-21

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 末永和史 ,  柴田宪治 ,  佐藤秀树 ,  野本明

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  C04B35/495 ,  G01R19/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3251 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/316

Abstract: 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。