膜片结构体
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100530734C

    公开(公告)日:2009-08-19

    申请号:CN200580043857.0

    申请日:2005-12-22

    CPC classification number: H01L41/098

    Abstract: 一种膜片结构体(1),具备形成至少一个开口部(2)的陶瓷基体(3)以及为向开口部(2)的相反一侧突出的凸形状并以覆盖开口部(2)的方式与陶瓷基体(3)烧结成一体而配置的由陶瓷所构成的较薄的膜片部(4)。开口部(2)的开口形状是其长度方向的至少一个前端部(5)为曲线形状且具有开口宽度向前端部(5)逐渐变窄的由曲线或直线构成的锥形部(6)的形状,膜片部(4)的与锥形部(6)对应的部分的形状是突出高度朝向前端部(5)逐渐降低的形状。

    压电/电致伸缩膜元件及其制作方法

    公开(公告)号:CN1050008C

    公开(公告)日:2000-03-01

    申请号:CN95115342.0

    申请日:1995-08-11

    CPC classification number: H04R17/08

    Abstract: 一种压电/电致伸缩膜元件,它包括一个有至少一个窗口(6,36)和一个用来封闭每个窗口的整体地形成的膜片部(10)的陶瓷基片(2,22),及一个包括按叙述次序在该膜片部的外表面上形成的下电极(12,40)、压电/电致伸缩层(14,42)和上电极(16,44)的压电/电致伸缩单元(18,24)。该压电/电致伸缩层由一个具有不小于0.7μm的晶粒尺寸和不大于15%的孔隙率(X)的致密体组成,而该膜片部具有0~8%的偏移率(Y)。孔隙率(X)和偏移率(Y)满足以下公式:Y≤0.1167X2-3.317X+25.5。

    多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件

    公开(公告)号:CN108305923A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810324504.7

    申请日:2015-03-23

    Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板和使用该多晶氮化镓自立基板的发光元件,由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成。该自立基板的基板表面的利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布,其平均倾斜角为1~10°。此外,本发明的发光元件包括所述自立基板和形成于基板上的发光功能层,该发光功能层具有一层以上的在大致法线方向具有单晶结构的由多个半导体单晶粒子构成的层。根据本发明,可以提供能够降低基板表面的缺陷密度的多晶氮化镓自立基板。此外,使用本发明的多晶氮化镓自立基板也可以提供能够获得高发光效率的发光元件。

    氧化铝烧结体及光学元件用基底基板

    公开(公告)号:CN107001148A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201580047884.9

    申请日:2015-11-20

    Abstract: 本发明的氧化铝烧结体的c晶面取向度为90%以上,该c晶面取向度是使用对板面照射X射线时在2θ=20°~70°的范围内的X射线衍射图谱利用Lotgering法求出的,使用Ar+离子束和屏蔽板对在与板面垂直的方向切断而得到的截面进行研磨后利用扫描型电子显微镜以倍率5000倍进行查看时的气孔的数量为零,Mg、C以外的杂质元素的合计的质量比例为100ppm以下。该氧化铝烧结体为高取向、高密度、高纯度,因此,具有比以往高的透光性。

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