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公开(公告)号：CN114180942A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111074760.3
申请日：2021-09-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。
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公开(公告)号：CN107135560B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710073140.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/26
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。
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公开(公告)号：CN115124347B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210174357.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28
Abstract: 本发明涉及碳化硅质多孔体、蜂窝结构体、电加热催化器及碳化硅质多孔体的制造方法，其课题在于，提供具有高耐氧化性的碳化硅质多孔体。碳化硅质多孔体包含：β－SiC粒子、Si粒子、以及金属硅化物粒子。β－SiC粒子的最大粒径为15μm以上。Si粒子的含有率为10质量％以上。Si粒子的最大粒径为40μm以下。另外，在Si粒子的表面设置有厚度0.01μm以上且5μm以下的氧化物被膜。据此，能够提供具有高耐氧化性的(即，在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)碳化硅质多孔体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114180942B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111074760.3
申请日：2021-09-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。
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公开(公告)号：CN111902383B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201980018676.4
申请日：2019-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该复合烧结体中的Al2O3的烧结粒径分布的标准偏差为0.35以下。该复合烧结体的堆积密度为3.94g/cm3以上且3.98g/cm3以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
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公开(公告)号：CN115124333A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210174755.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28 , B01D53/94 , B01D53/72 , B01D53/62 , B01D53/56
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法，其课题在于，提供低电阻且具有高耐氧化性的复合烧结体。复合烧结体包含：作为主相的硅相、堇青石相、以及含有Si的非晶质相。另外，于室温的体积电阻率为0.1Ω·cm以上且2.5Ω·cm以下。据此，即便复合烧结体暴露于高温氧化气氛的情况下，硅粒子的氧化也得以抑制，复合烧结体的体积电阻率的变化得到抑制。因此，能够提供低电阻且具有高耐氧化性的(即，在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)复合烧结体。
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公开(公告)号：CN112750692A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011160357.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 阿闭恭平
IPC: H01L21/08
Abstract: 本发明提供复合烧结体及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备：以陶瓷为主材料的基材(即、主体部(21))、以及配置在主体部(21)的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含WC和TiN。由此，能够抑制电极(23)的电阻率增大，并且，能够使电极(23)与主体部(21)的热膨胀系数之差减小。结果，能够抑制由该热膨胀系数之差所引起的主体部(21)的裂纹、开裂等损伤。
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公开(公告)号：CN107135560A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710073140.5
申请日：2017-02-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05B3/26
CPC classification number: H05B3/283 , C04B35/581 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/021 , C04B2235/3225 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/723 , C04B2237/366 , C04B2237/408 , C04B2237/68 , C04B2237/84 , H05B1/0233 , H05B3/12 , H05B3/143 , H05B2203/017 , H05B3/265
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷结构体、其制法及半导体制造装置用部件。陶瓷结构体(10)在圆盘状的AlN陶瓷基体(12)的内部内置有加热电极(14)。加热电极(14)是使主成分WC中含有与AlN相比电阻率低且热膨胀系数高的金属填料(例如Ru、RuAl)而得到的。AlN陶瓷基体(12)与加热电极(14)在40～1000℃下的热膨胀系数的差值的绝对值|ΔCTE|为0.35ppm/℃以下。
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