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公开(公告)号：CN115124347A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210174357.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/577 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28
Abstract: 本发明涉及碳化硅质多孔体、蜂窝结构体、电加热催化器及碳化硅质多孔体的制造方法，其课题在于，提供具有高耐氧化性的碳化硅质多孔体。碳化硅质多孔体包含：β－SiC粒子、Si粒子、以及金属硅化物粒子。β－SiC粒子的最大粒径为15μm以上。Si粒子的含有率为10质量％以上。Si粒子的最大粒径为40μm以下。另外，在Si粒子的表面设置有厚度0.01μm以上且5μm以下的氧化物被膜。据此，能够提供具有高耐氧化性的(即，在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)碳化硅质多孔体。
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公开(公告)号：CN116768647A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310127910.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B38/00 , C04B35/195 , C04B35/515 , C04B35/565 , C04B35/622 , F01N3/28 , F01N3/20 , B01D53/94 , B01D46/24
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法，其课题在于，提高复合烧结体的耐氧化性。复合烧结体包含：硅相、堇青石相、以及高阻碳化硅相。该复合烧结体中的硅的含有率相对于该复合烧结体而言为30质量％以上且50质量％以下。该复合烧结体中的堇青石的含有率相对于该复合烧结体而言为10质量％以上且50质量％以下。该复合烧结体中的高阻碳化硅的含有率相对于该复合烧结体而言为20质量％以上且50质量％以下。据此，能够使硅粒子粗大化，从而能够提高复合烧结体的耐氧化性。
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公开(公告)号：CN110997597B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201780093781.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/111 , H01L23/15 , H05K3/46
Abstract: 烧结体中，作为主相，包含氧化铝相，还包含非晶质相及堇青石相，该非晶质相含有Si和Mn。气孔率为1.1％以上5.0％以下。优选为，将利用XRD衍射法得到的、堇青石的主峰强度设为I1，将氧化铝的主峰强度设为I2时，I1/(I1+I2)为0.20以上0.45以下。在烧结体的制造中，制备如下粉末，该粉末包含：70质量％以上85质量％以下的氧化铝、按SiO2换算计3质量％以上7质量％以下的Si成分、按MnO换算计3质量％以上6.5质量％以下的Mn成分、以及8质量％以上15质量％以下的堇青石，且这4种成分的合计为85质量％以上。由粉末得到成型体，对成型体进行烧成，得到烧结体。
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公开(公告)号：CN110997597A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201780093781.5
申请日：2017-08-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111 , H01B3/12 , H01L23/15 , H05K3/46
Abstract: 烧结体中，作为主相，包含氧化铝相，还包含非晶质相及堇青石相，该非晶质相含有Si和Mn。气孔率为1.1％以上5.0％以下。优选为，将利用XRD衍射法得到的、堇青石的主峰强度设为I1，将氧化铝的主峰强度设为I2时，I1/(I1+I2)为0.20以上0.45以下。在烧结体的制造中，制备如下粉末，该粉末包含：70质量％以上85质量％以下的氧化铝、按SiO2换算计3质量％以上7质量％以下的Si成分、按MnO换算计3质量％以上6.5质量％以下的Mn成分、以及8质量％以上15质量％以下的堇青石，且这4种成分的合计为85质量％以上。由粉末得到成型体，对成型体进行烧成，得到烧结体。
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公开(公告)号：CN116693316A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310115339.5
申请日：2023-02-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B38/00 , C04B35/195 , C04B35/622 , F01N3/20 , F01N9/00
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法，其课题在于，提高复合烧结体的耐氧化性及耐热冲击性。复合烧结体包含硅相和堇青石相。该复合烧结体中，将利用X射线衍射法得到的硅的(111)晶面的峰强度及堇青石的(110)晶面的峰强度分别设为I1及I2时，I1/(I1+I2)为0.70以上且0.80以下。另外，该复合烧结体中，硅粒子的体积基准下的中值粒径为9μm以上。据此，能够提高复合烧结体的耐氧化性及耐热冲击性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114180943A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111081223.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。
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公开(公告)号：CN111902383A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980018676.4
申请日：2019-03-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/117 , H01L21/683
Abstract: 复合烧结体具备Al2O3和MgAl2O4。该复合烧结体中的Al2O3的含有率为95.5重量％以上。该复合烧结体中的Al2O3的平均烧结粒径为2μm以上且4μm以下。该下复。该合复烧合结烧体结中体的的A堆l2O积3的密烧度结为粒3.9径4分g/c布m的3以标上准且偏3差.98为g/0c.m353以以下。该复合烧结体中的MgAl2O4与Al2O3的晶相量之比为0.003以上且0.01以下。由此，能够提供具有高耐电压及高体积电阻率的复合烧结体。
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公开(公告)号：CN115124333B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210174755.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/195 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B38/00 , F01N3/20 , F01N3/28 , B01D53/94 , B01D53/72 , B01D53/62 , B01D53/56
Abstract: 本发明涉及复合烧结体、蜂窝结构体、电加热催化器及复合烧结体的制造方法，其课题在于，提供低电阻且具有高耐氧化性的复合烧结体。复合烧结体包含：作为主相的硅相、堇青石相、以及含有Si的非晶质相。另外，于室温的体积电阻率为0.1Ω·cm以上且2.5Ω·cm以下。据此，即便复合烧结体暴露于高温氧化气氛的情况下，硅粒子的氧化也得以抑制，复合烧结体的体积电阻率的变化得到抑制。因此，能够提供低电阻且具有高耐氧化性的(即，在高温氧化气氛下暴露后的电阻变化率较小的)复合烧结体。
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公开(公告)号：CN114180943B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111081223.1
申请日：2021-09-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。
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