公开(公告)号：CN114180942B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。

公开(公告)号：CN114180943B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111081223.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  宫西启太 ,  永井明日美 ,  山口浩文

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。

公开(公告)号：CN114180942A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111074760.3

申请日：2021-09-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫西启太 ,  阿闭恭平 ,  永井明日美 ,  山口浩文 ,  青柳宗一郎

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法。复合烧结体(20)具备以Al2O3为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含Ru、ZrO2和Al2O3。由此，能够抑制电极(23)中的ZrO2的偏集。其结果，能够抑制由该偏集的影响导致的电极(23)与基材的热膨胀系数之差所引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。

公开(公告)号：CN114180943A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111081223.1

申请日：2021-09-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 阿闭恭平 ,  宫西启太 ,  永井明日美 ,  山口浩文

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/48 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种复合烧结体、半导体制造装置构件及复合烧结体的制造方法，能够抑制电极的电阻率增大，并且减小电极与基材的热膨胀系数之差。复合烧结体(20)具备以陶瓷为主材料的基材和配置于该基材的内部或表面的电极(23)。电极(23)包含W和ZrO2。由此，能够减小电极(23)与基材的热膨胀系数之差。其结果是，能够抑制由电极(23)与基材的热膨胀系数之差引起的基材的裂纹、电极(23)的剥离。另外，在复合烧结体(20)中，也能够抑制电极(23)的电阻率增大。其结果是，能够高精度地控制电极(23)的发热量。