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公开(公告)号：CN105190838A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201580000420.2
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/16 , C04B35/115 , C04B35/6264 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B37/001 , C04B37/005 , C04B37/008 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/062 , C04B2237/064 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/52 , C04B2237/588 , C30B29/06 , C30B33/06 , H01L21/2007 , H01L29/0649 , Y10T428/24355
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。
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公开(公告)号：CN105051862A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016581.6
申请日：2014-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/115
CPC classification number: H01L21/683 , C04B35/111 , C04B35/115 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6025 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/945 , C04B2235/963 , C30B29/06 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L27/12 , H01L29/16 , Y10T428/21 , Y10T428/219 , Y10T428/24777
Abstract: 一种半导体用复合晶片的支撑基板，可以抑制形成有切口的晶片的微粒。半导体用复合晶片的支撑基板(1A)、(1B)由多晶陶瓷烧结体形成，在外周边缘部有切口(2A)、(2B)。切口由烧成面形成。
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公开(公告)号：CN111052415B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880052347.7
申请日：2018-08-06
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，上表面13a的法线T相对于13族元素氮化物结晶的＜0001＞方向而言具有2.0°以下的偏角θ。
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公开(公告)号：CN111052414A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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公开(公告)号：CN111033763A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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公开(公告)号：CN105074870B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201480019693.7
申请日：2014-12-16
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , C01F7/02 , C01P2006/60 , C04B35/10 , C04B35/115 , C04B35/64 , C04B37/001 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/786 , C04B2237/343 , C04B2237/70 , C04B2237/704 , H01L21/02002 , H01L21/6835 , H01L23/15 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381
Abstract: 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。
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公开(公告)号：CN105191511A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201580000703.7
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K1/03 , C04B35/111 , H05K3/00
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H01B3/12 , H01B17/56 , H05K1/03 , H05K1/0306 , H05K3/00 , H05K3/0014 , H05K3/0029 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供排列有导体用的贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～300μm，贯通孔2的直径W为20μm～100μm，绝缘基板(1)由氧化铝烧结体形成。氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，平均粒径为2～50μm。
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公开(公告)号：CN111052414B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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公开(公告)号：CN114341410A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN111033764B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780093879.0
申请日：2017-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。其特征在于，在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。上表面13a的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。
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