公开(公告)号：CN103081130B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201180042213.5

申请日：2011-09-01

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  名田允洋 ,  村本好史 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。

公开(公告)号：CN102257640B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980150764.6

申请日：2009-12-11

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤清后 ,  村本好史 ,  中岛史人 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层32和雪崩倍增层34之间插入有离子化率低的缓冲层33。具体地说，是依次层叠了n电极层31、n电极连接层32、缓冲层33、雪崩倍增层34、电场控制层35、带隙倾斜层36、低浓度光吸收层37a、p型光吸收层37b及p电极层38，至少由低浓度光吸收层37a和p型光吸收层37b组成的光吸收部37形成台面形状的电子注入型APD。

公开(公告)号：CN103081130A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180042213.5

申请日：2011-09-01

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤精后 ,  名田允洋 ,  村本好史 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/02002 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。

公开(公告)号：CN202817007U

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201220025472.9

申请日：2012-01-19

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 土居芳行 ,  村本好史 ,  大山贵晴

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种光半导体装置，该光半导体装置包括：导电性半导体衬底、在上述导电性半导体衬底上形成的光吸收层、和在上述光吸收层上形成的导电性半导体层，其特征在于：上述导电性半导体层通过具有多个与上述导电性半导体衬底相反的导电类型的扩散区，而在上述光半导体装置中形成阵列状的光接收元件；在上述导电性半导体衬底的底部具有镜面状的薄膜。该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰、小型且简单，并且可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰，减少光半导体装置的光强度检测时的误差外，减小背面上的接触电阻，改善串扰，保护光半导体元件免受外部环境影响，耐湿性优良，能够确保高可靠性。