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公开(公告)号：CN103081130B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180042213.5
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L31/022416 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。
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公开(公告)号：CN103081130A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042213.5
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L31/022416 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。
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公开(公告)号：CN103403848B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280010887.1
申请日：2012-01-20
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L21/331 , G02F1/017 , H01L29/737 , H01L31/10
CPC classification number: H01L29/0615 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。
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公开(公告)号：CN100430780C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200480028898.8
申请日：2004-10-04
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面，为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波，设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12-1和12-2)，在中间包覆层(12-1)的上面和中间包覆层(12-2)的下面，分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13-1和13-2)。在包覆层(13-1)的上面，依次层叠p型层(15)与n型层(16)，在动作状态下使用的施加电压范围下，耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。
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公开(公告)号：CN1864092A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028898.8
申请日：2004-10-04
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种具有可执行光调制器的稳定动作之nin型异质结构的半导体光电子波导通路。在构造确定为在动作光波长下光电效果有效作用、且光吸收不成问题的芯层(11)的上面与下面，为了使光吸收产生的载流子不在异质界面处陷波，设置具有比芯层(11)的频带间隙大的频带间隙之中间包覆层(12－1和12－2)，在中间包覆层(12－1)的上面和中间包覆层(12－2)的下面，分别设置具有比这些中间包覆层大的频带间隙之包覆层(13－1和13－2)。在包覆层(13－1)的上面，依次层叠p型层(15)与n型层(16)，在动作状态下使用的施加电压范围下，耗尽p型层(15)的整个区域与n型层(16)的部分区域或整个区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103403848A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010887.1
申请日：2012-01-20
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L21/331 , G02F1/017 , H01L29/737 , H01L31/10
CPC classification number: H01L29/0615 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。
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公开(公告)号：CN1914741A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003913.8
申请日：2005-02-03
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。
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公开(公告)号：CN103081129B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201180042210.1
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/03046 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。
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公开(公告)号：CN103081129A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042210.1
申请日：2011-09-01
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/03046 , H01L31/1075 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面、电极层的形状所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；以及从层叠方向看，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在第1台面（101）的电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102），n型电场控制层（7A）的总施主浓度比p型电场控制层（5）的总受主浓度低2×1011～1×1012/cm2的范围。
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公开(公告)号：CN100495741C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580003913.8
申请日：2005-02-03
Applicant: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1075
Abstract: 本发明提供同时实现操作电压的低电压化和在所应用带域中的高量子效率化的超高速雪崩光敏二极管。在雪崩光敏二极管的操作中，按照使p型光吸收层(16)除了其一部分外维持p型中性(非耗尽型光吸收层)、且低浓度光吸收层(15)被耗尽(耗尽型光吸收层)的方式确定各光吸收层的掺杂浓度分布。另外，按照如下方式确定p型光吸收层(16)的层厚度WAN和低浓度光吸收层(15)的层厚度WAD之比，即，在光吸收层的层厚度WA(＝WAN+WAD)为一定值的条件下，WAD＞0.3μm，且使在光吸收层中因光吸收而发生的载流子迁移所造成的器件响应的延迟时间最小。
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