公开(公告)号：CN102257640A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980150764.6

申请日：2009-12-11

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤清后 ,  村本好史 ,  中岛史人 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层(32)和雪崩倍增层(34)之间插入有离子化率低的缓冲层(33)。具体地说，是依次层叠了n电极层(31)、n电极连接层(32)、缓冲层(33)、雪崩倍增层(34)、电场控制层(35)、带隙倾斜层(36)、低浓度光吸收层(37a)、p型光吸收层(37b)及p电极层(38)，至少由低浓度光吸收层(37a)和p型光吸收层(37b)组成的光吸收部(37)形成台面形状的电子注入型APD。

公开(公告)号：CN102257640B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980150764.6

申请日：2009-12-11

Applicant: NTT电子股份有限公司 ,  日本电信电话株式会社

Inventor： 石桥忠夫 ,  安藤清后 ,  村本好史 ,  中岛史人 ,  横山春喜

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/1075

Abstract: 本发明的目的是提供具有不必高精度地控制埋入n电极构造的n型区域的掺杂剖面就能够抑制边缘击穿的构造的埋入n电极构造的电子注入型APD。本发明的APD在n电极连接层32和雪崩倍增层34之间插入有离子化率低的缓冲层33。具体地说，是依次层叠了n电极层31、n电极连接层32、缓冲层33、雪崩倍增层34、电场控制层35、带隙倾斜层36、低浓度光吸收层37a、p型光吸收层37b及p电极层38，至少由低浓度光吸收层37a和p型光吸收层37b组成的光吸收部37形成台面形状的电子注入型APD。