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公开(公告)号:CN117147598A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310102988.1
申请日:2023-02-10
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: G01N23/083 , G01V5/00
Abstract: 提供X射线检查装置以及X射线检查方法,即使是具有正极材料的涂布部和未涂布部的试样,也能够在相同的条件下同时对双方的部分进行异物检查。具备:X射线源(2),其对试样(S)照射X射线(X1);X射线检测部(3),其相对于试样设置于与X射线源相反的一侧,检测透过了试样的X射线;以及滤波器(4),其设置于X射线源与X射线检测部之间,试样具有X射线吸收量相对多的区域和X射线吸收量相对少的区域,滤波器由如下材料构成,该材料使得透过了X射线吸收量多的区域的X射线与透过了X射线吸收量少的区域的X射线的强度比比未设置滤波器的状态小。
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公开(公告)号:CN115078425A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210138063.8
申请日:2022-02-15
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: G01N23/083 , G01N23/18 , G01N23/04 , G01B15/02 , H01M4/88 , H01M8/0273 , H01M8/1004
Abstract: 本发明涉及用于膜电极组件的检测方法和检查装置。膜电极组件的检查方法包括:第一过程,该第一过程获取膜电极组件的X射线透射图像;第二过程,该第二过程在第一过程中所获取的X射线透射图像中识别具有比周围区域的亮度低的亮度的亮度降低区域;第三过程,该第三过程基于膜电极组件中的异物的平面尺寸与由于X射线的衍射而引起的亮度变化之间的相关性,根据亮度降低区域的平面尺寸,校正在第二过程中识别的亮度降低区域的亮度;以及第四过程,该第四过程基于在第三过程中校正的亮度,求出膜电极组件中异物的厚度。
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公开(公告)号:CN105277579B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201510321618.2
申请日:2015-06-12
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
IPC: G01N23/223
Abstract: 本发明涉及荧光X射线分析装置。提供一种能够简便地进行与测定通常的样品的情况相同的条件下的校正测定的荧光X射线分析装置。所述荧光X射线分析装置具备:X射线源;用于对将来自该X射线源的X射线作为一次X射线照射到样品的区域进行限制的照射区域限制单元;用于检测从样品产生的二次X射线的检测器;用于对包含X射线源、照射区域限制单元和检测器的装置进行校正的校正用样品;用于在作为保持该校正用样品并且从所述一次X射线的路径偏离的任意的位置的退避位置和照射从照射区域限制单元射出的X射线的一次X射线照射位置这2个位置之间移动的校正样品移动机构;以及载置样品的样品台,校正样品移动机构为与所述样品台独立的机构。
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公开(公告)号:CN303506184S
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201530192884.0
申请日:2015-06-12
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Abstract: 1.本外观设计产品的名称:荧光X射线薄膜厚度测量仪。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于通过使用设置在检测室内的X射线照射器所射出的X射线,可以检测半导体、电子产品以及印刷电路板等使用的电镀或蒸镀的金属薄膜的厚度及组成。3.本外观设计产品的设计要点:本外观设计产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。5.在示出各部名称参考图中,B-电源按钮,C-键式开关,D-开闭盖,E-指示部,F-检测室。在示出透明部分参考图和示出各部名称参考图中,斜线部分为透明。
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公开(公告)号:CN303622154S
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201530189930.1
申请日:2015-06-11
Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学
Abstract: 1.本外观设计产品的名称:荧光X射线薄膜厚度测量仪。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于通过使用设置在检测室内的X射线照射器所射出的X射线,可以检测半导体、电子产品以及印刷电路板等使用的电镀或蒸镀的金属薄膜的厚度及组成。3.本外观设计产品的设计要点:本外观设计产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。5.在示出各部名称参考图中,B-电源按钮,C-键式开关,D-开闭盖,E-指示部,F-检测室。在示出透明部分参考图和示出各部名称参考图中,斜线部分为透明。
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