公开(公告)号：CN112778922A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011175219.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  木村雄大 ,  武田公平 ,  每川英利 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

公开(公告)号：CN112080218B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202010496602.6

申请日：2020-06-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的切割带在基材层上层叠有粘合剂层，所述切割带的‑5℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。

公开(公告)号：CN112778922B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011175219.7

申请日：2020-10-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  木村雄大 ,  武田公平 ,  每川英利 ,  植野大树

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，其在‑10℃下的拉伸储能模量为50MPa以上且250MPa以下。

公开(公告)号：CN112778923B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202011215646.3

申请日：2020-11-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  每川英利 ,  武田公平 ,  植野大树 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J4/06 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。

公开(公告)号：CN117882203A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280054676.1

申请日：2022-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  浅井量子 ,  仲野武史

IPC: H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  B32B7/023 ,  G02B1/11 ,  G02B5/00 ,  G02B5/02

Abstract: 本发明的目的在于提供光半导体元件密封用片，其适合于制造防止金属布线反射的功能、对比度得以提高且偏色得以降低的迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置。本发明的光半导体元件密封用片10具备扩散层1和防反射层2。扩散层1的总透光率T1和防反射层2的总透光率T2满足T1>T2，扩散层1的雾度值H1和防反射层2的雾度值H2满足H1>H2。

公开(公告)号：CN117447937A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310921086.0

申请日：2023-07-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 加藤友二 ,  秋山淳 ,  植野大树

IPC: C09J7/38 ,  C09J133/10 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及半导体加工用压敏粘合片。提供一种对具有凹凸的被粘物的凹凸具有优异的追随性且锚固性优异的半导体加工用压敏粘合片。所述半导体加工用压敏粘合片包括由UV固化型压敏粘合剂形成的压敏粘合剂层，和基材。所述UV固化型压敏粘合剂包含基础聚合物、光聚合引发剂和磷酸酯系表面活性剂。

公开(公告)号：CN116805641A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287803.9

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供防止基板表面的反射的防反射性优异且亮度较高的显示体。显示体(1)具备基板(2)、配置在基板上的多个光半导体元件(3a～3c)、以及将多个光半导体元件密封的密封树脂层(4)。密封树脂层包含着色层(42)和非着色层(43)，将通过光半导体元件(3a)的重心(GA)的相对于基板的表面而言的垂线设为垂线(PA)，将通过光半导体元件(3a)的重心(GA)与同光半导体元件(3a)在同一像素(3)内相邻的光半导体元件(3b)的重心(GB)之间的中点(C)的、相对于基板的表面而言的垂线设为垂线(PC)，此时，垂线(PA)上的着色层的总厚度(HA)和垂线(PC)上的着色层的总厚度(HC)满足下述式子(1)，HA＜HC(1)。

公开(公告)号：CN116805640A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310287798.1

申请日：2023-03-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  仲野武史 ,  浅井量子 ,  田中俊平 ,  长束尚辉

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明提供不易产生亮度不均且亮度较高的显示体。显示体具备基板、配置在基板上的多个光半导体元件及将多个光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层包含着色层和非着色层。将从基板表面起到光半导体元件的比重心靠正面侧的端部TA为止的距离设为LA，将从基板表面起到通过光半导体元件的重心与同光半导体元件在同一像素内相邻的光半导体元件的重心之间的中点的、相对于基板表面而言的垂线上的着色层的正面侧的端部TC为止的距离设为LC，将从通过端部TA的相对于基板表面而言的垂线起到通过端部TC的相对于基板表面而言的垂线为止的距离设为LA－C，将从端部向垂线观察时的仰角的角度设为θ°，此时，显示体满足下述式子(1)，LC≤LA+LA－Ctanθ(1)。

公开(公告)号：CN116249620A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202280005981.1

申请日：2022-08-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福富秀平 ,  田中俊平 ,  植野大树 ,  浅井量子 ,  仲野武史

IPC: B32B27/20

Abstract: 本发明的目的在于提供光半导体元件密封用片，其适合于制造提高了防止金属布线的反射的功能、对比度并且降低了偏色的迷你/微型LED显示装置等自发光型显示装置。本发明的光半导体元件密封用片(10)具备扩散层(1)和防反射层(2)。扩散层(1)为树脂层，防反射层(2)为树脂层。扩散层(1)含有光扩散性微粒，防反射层(2)含有着色剂。

公开(公告)号：CN114763455A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111576736.X

申请日：2021-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 植野大树 ,  水野浩二 ,  田中俊平 ,  林美希

IPC: C09J7/38 ,  C09J7/29 ,  C09J133/08 ,  C09J9/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种半导体元件保护用压敏粘合片，其适当地保护半导体晶片而不会减少收率。半导体元件保护用压敏粘合片包括：压敏粘合剂层；和基材。该压敏粘合剂层的表面电阻率为1.0×1011Ω/□以下。在半导体元件保护用压敏粘合片的压敏粘合剂层和硅晶片彼此贴合、在50℃下静置24小时、并且剥离半导体元件保护用压敏粘合片之后，相对于硅晶片的贴合至该压敏粘合剂层的表面的全部元素含量，卤素元素比例为0.3原子％以下。