公开(公告)号：CN102786885B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210152455.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  井上泰史 ,  松村健

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08K3/22 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种胶粘片，该胶粘片通过捕捉在半导体装置的制造工序中从外部混入的阳离子可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，将重量2.5g的半导体装置制造用的胶粘片浸渍到含有10ppm铜离子的50ml水溶液中并在120℃放置20小时后，所述水溶液中的铜离子浓度为0~9.9ppm。

公开(公告)号：CN102786885A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210152455.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  井上泰史 ,  松村健

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08K3/22 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种胶粘片，该胶粘片通过捕捉在半导体装置的制造工序中从外部混入的阳离子可以防止所制造的半导体装置的电特性下降从而提高制品可靠性。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，将重量2.5g的半导体装置制造用的胶粘片浸渍到含有10ppm铜离子的50ml水溶液中并在120℃放置20小时后，所述水溶液中的铜离子浓度为0~9.9ppm。

公开(公告)号：CN102683511A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210042778.X

申请日：2012-02-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 伊藤久贵 ,  井上泰史 ,  三隅贞仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L24/17 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置的制造方法，其包括：准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在光半导体层之上的电极部；在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出电极部的上表面的方式局部除去密封树脂层，从而制造发光二极管元件的工序；使发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将电极部和端子电连接起来，从而以倒装法将发光二极管元件安装在上述底部基板上的工序。

公开(公告)号：CN1240327A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108580.9

申请日：1999-06-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长泽德 ,  杉本正和 ,  中村圭 ,  井上泰史

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L2924/01019

Abstract: 一种安装好的电路板结构和要被结合在该安装好的结构中的多层电路板,该安装好的电路板结构可通过简单的方法准备并且能够良好地分散来自芯片的热量和经受减轻的热应力。植入在绝缘层中的核心材料具有在镍－铁合金箔的至少一侧上提供的导热性不低于100W/m·K的金属层,所述绝缘层包括在其至少一侧上提供的线路导线和安装的半导体元件,在所述半导体元件和所述核心材料间提供有用于导热的焊料金属件,使两者相互连接。