一种PTFEMA-b-PSt含氟嵌段共聚物的制备方法

    公开(公告)号:CN102887981A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201110206737.5

    申请日:2011-07-22

    Abstract: 本发明提供了一种PTFEMA-b-PSt含氟嵌段共聚物的制备方法,其中大分子引发剂是以α-溴代丙酸乙酯为引发剂,以氯化亚铜/联二吡啶为催化体系,甲基丙烯酸三氟乙酯(PTFEMA)为单体,通过ATRP方法合成端基含有一个α-溴原子的聚甲基丙烯酸三氟乙酯(PTFEMA-Br)大分子引发剂;以此大分子引发剂引发苯乙烯(St)聚合,得到了分子量分布较窄的PTFEMA-b-PSt含氟嵌段共聚物。

    一种光敏感发光聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN102127195B

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201010592775.4

    申请日:2010-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种光敏感发光聚合物及其制备方法,该发光聚合物为含有可光交联基团的三嵌段聚合物,其中硬段为刚性的共轭发光材料聚芴,软段为丙烯酸柔性链。嵌段聚合物的合成主要是通过得到一个适应于原子转移可控自由基聚合ATRP反应的大分子引发剂再通过ATRP引入柔性链段并修饰成为可光交联的聚合物。本发明的优点在于:合成的可光交联的三嵌段聚合物不但成功地实现了光刻技术的应用目标,而且由于柔性链段对发光的硬段产生了包埋作用,刚性链的排列更加紧密明显,改善了聚芴链段的热稳定性,结合了光交联网络和嵌段聚合物两者对发光材料改性的两大优势,使得聚合物的改性更加方便,能够得到一些特殊的微观形态。

    一种光敏感发光聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN102127195A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010592775.4

    申请日:2010-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种光敏感发光聚合物及其制备方法,该发光聚合物为含有可光交联基团的三嵌段聚合物,其中硬段为刚性的共轭发光材料聚芴,软段为丙烯酸柔性链。嵌段聚合物的合成主要是通过得到一个适应于原子转移可控自由基聚合ATRP反应的大分子引发剂再通过ATRP引入柔性链段并修饰成为可光交联的聚合物。本发明的优点在于:合成的可光交联的三嵌段聚合物不但成功地实现了光刻技术的应用目标,而且由于柔性链段对发光的硬段产生了包埋作用,刚性链的排列更加紧密明显,改善了聚芴链段的热稳定性,结合了光交联网络和嵌段聚合物两者对发光材料改性的两大优势,使得聚合物的改性更加方便,能够得到一些特殊的微观形态。

    Android平台上基于WiFi等传输打印的系统

    公开(公告)号:CN103150131A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201310061035.1

    申请日:2013-02-27

    Abstract: 本发明为Android平台上基于WiFi等传输打印的系统,以通过网络传输文档与相片到打印机完成打印,其特征在于,所述的系统包括第一阶段、第二阶段和第三阶段,其中所述第一阶段为首先设置Android默认不支持WiFi打印,需要重新开发上层应用(Application),在用户空间创建一个守护进程;所述第二阶段为先通过tty设备访问WiFi驱动来建立连接,然后根据打印机协议,来scan打印机设备,并query它的状态;第三阶段为等守护进程与打印机建立通讯后,会把相应的状态通报给framework layer来告知上层当前的打印机状态;上层应用然后可以发送命令或传输资料不限于文档照片到守护进程,守护进程根据打印协议发送相关的要求给打印机,打印机收到相应的命令执行打印相关之动作。

    一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用

    公开(公告)号:CN116199707B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202310209593.1

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用,属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得,所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度,且具有良好的π–π堆积性能,与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏,阻挡载流子的流失,从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性,因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层,由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点,所以当给器件施加电压,在电场的作用下,电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层,就会更加容易被俘获,有助于提升器件的存储性能。

    酸响应荧光传感材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117447435A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311347347.9

    申请日:2023-10-17

    Abstract: 本发明公开了一种酸响应荧光传感材料及其制备方法和应用,该酸响应荧光传感材料可在液体环境下对强酸进行检测,酸响应荧光传感材料的结构如下化学式: 该材料对酸响应的基团为叔醇的羟基,在酸的作用下脱羟基使荧光强度发生改变,可在多种液体环境中通过不同荧光的强度区分不同摩尔量的强酸。本发明制备的荧光传感材料对酸进行检测,荧光传感材料和酸混合后,能明显的观察到溶液颜色变色,在紫外灯下荧光信号的变化肉眼可见,实现了对强酸的可视化检测,进而提高了酸的响应速度和准确度,且具有较好的可重复利用性。本发明的酸响应荧光传感材料合成方法简单,分离提纯方便,产率较高,稳定性好,因此在智能传感器领域具有一定的应用价值。

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